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1. (WO2007007478) 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット、及び製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/007478    国際出願番号:    PCT/JP2006/310792
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 30.05.2006
IPC:
H01L 31/028 (2006.01), C01B 33/037 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NIIRA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NIIRA, Koichiro; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
優先権情報:
2005-203210 12.07.2005 JP
発明の名称: (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND PRODUCTION PROCESS
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, LINGOT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, ET PROCESSUS DE FABRICATION
(JA) 多結晶シリコン基板、多結晶シリコンインゴット、及び製造方法
要約: front page image
(EN)Regarding the impurity concentration of a polycrystalline silicon substrate, a region satisfying the following requirement is present in a substrate: Nspin ≤ 3.5E14 (condition 1) wherein Nspin represents the spin density at g value = 2.005 to 2.006 as measured at a temperature of about 10K by ESR (electron spin resonance) in a cleavage face of the substrate, spins/cm3. In the polycrystalline silicon substrate satisfying this condition, the electron spin density is lower than the threshold value, and the density of recombination level is small. Accordingly, the substrate has good quality and high photoelectric conversion efficiency.
(FR)Dans le domaine de la concentration en impuretés d’un substrat de silicium polycristallin, l’invention concerne une région satisfaisant à l’exigence suivante présente dans un substrat : Nspin ≤ 3,5E14 (condition 1) où Nspin représente la densité de centrifugation à la valeur g = 2,005 à 2,006 mesurée à une température d’environ 10K par ESR (résonance centrifuge électronique) dans une face de clivage du substrat, centrifugations/cm3. Dans le substrat de silicium polycristallin satisfaisant à cette condition, la densité de centrifugation électronique est inférieure à la valeur seuil, et la densité de niveau de recombinaison est faible. En conséquence, le substrat est de bonne qualité et possède une grande efficacité de conversion photoélectrique.
(JA) 多結晶シリコン基板中の不純物濃度に関して、ESR(電子スピン共鳴)法で、基板のへき開面を温度約10Kで測定したときのg値=2.005~2.006におけるスピン密度をNspin(ただし、スピン密度単位は[spins/cm3])としたとき、  Nspin ≦ 3.5E14 (条件1) を満たす領域が基板中に存在する。この条件を満たす多結晶シリコン基板は、電子スピン密度がしきい値よりも少なく、再結合準位の密度が小さい。したがって、基板の品質がよく、光電変換効率が高い基板となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)