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1. (WO2007007467) 固体撮像素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/007467    国際出願番号:    PCT/JP2006/309799
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 17.05.2006
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/335 (2006.01)
出願人: NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-Chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAGI, Toru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAGI, Toru; (JP)
代理人: FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg. 9th Floor 19-5, Nishishinjuku 1-Chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
優先権情報:
2005-200296 08.07.2005 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子
要約: front page image
(EN)The solid-state imaging element is provided with pixels formed on a semiconductor substrate; a photoelectric conversion section arranged in the pixel for converting light into an electric signal; and a microlens arranged above the photoelectric conversion section. The microlens has a flat plane shape wherein linear distances from the center to the lens end are different. The microlens has n number of first bottom portions (n is a natural number) wherein the linear distances are relatively long in the vicinity of lens end, and second bottom portions not including the first bottom portions. The height in the vertical direction from the upper plane of the photoelectric conversion section is less at the first bottom portion than that at the second bottom portion. Thus, light is efficiently focused on the photoelectric conversion section.
(FR)L’invention concerne un élément d’imagerie à semi-conducteur muni de pixels formés sur un substrat semi-conducteur ; une section de conversion photoélectrique disposée dans le pixel afin de convertir la lumière en signal électrique ; et une microlentille disposée au-dessus de la section de conversion photoélectrique. La microlentille possède une forme plane dans laquelle les distances linéaires du centre à l’extrémité de la lentille sont différentes. La microlentille possède un nombre n de premières portions inférieures (n étant un nombre naturel), les distances linéaires étant relativement longues au voisinage de l’extrémité de la lentille, et de secondes portions inférieures ne contenant pas les premières portions inférieures. La hauteur dans la direction verticale à partir du plan supérieur de la section de conversion photoélectrique est plus petite au niveau de la première portion inférieure qu’au niveau de la seconde portion inférieure. Ainsi, la lumière est concentrée de manière efficace sur la section de conversion photoélectrique.
(JA) 本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に形成された画素と、前記画素内に設けられ、光を電気信号に変換する光電変換部と、該光電変換部の上方に設けられたマイクロレンズとを備え、前記マイクロレンズは中心からレンズ端までの直線距離が異なる平面形状を有し、前記マイクロレンズは、前記直線距離が相対的に長いn箇所(nは自然数)のレンズ端近傍の第1の底面部位と該第1の底面部位を含まない第2の底面部位とを有し、前記光電変換部の上面からの垂直方向の高さは前記第2の底面部位より前記第1の底面部位の方が低いことを特徴とする。これにより、光電変換部に効率よく集光することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)