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1. (WO2007007402) イオン注入のシミュレーション方法及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/007402    国際出願番号:    PCT/JP2005/012922
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 13.07.2005
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Kunihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Kunihiro; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR SIMULATING ION IMPLANTATION AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR SIMULER UNE IMPLANTATION IONIQUE ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) イオン注入のシミュレーション方法及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a method for simulating ion implantation in which the thickness of an amorphous layer being formed on the surface layer of a crystalline substrate by ion implantation can be determined inexpensively and conveniently, and to provide a method for fabricating a semiconductor device. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The method for simulating ion implantation comprises a step (S1) for integrating concentration distribution N0(x) of Ge in a silicon substrate (20) for test, from the thickness d0 of an amorphous layer (20a) to infinity and calculating an integration value Φa/c, a step (S2) for referring to a database (105) and acquiring the shape parameters of concentration distribution of Ge in a silicon substrate (30) for product, a step (S3) for generating a distribution function Na(x) for approximating the concentration distribution of Ge using the shape parameters, and a step (S4) for determining such a depth da as the value obtained by integrating a distribution function Na(x) from thickness da to infinity becomes equal to Φa/c and specifying the da as the thickness of an amorphous layer (30a).
(FR)Le problème à résoudre selon l'invention consiste à proposer un procédé pour simuler une implantation ionique dans lequel l'épaisseur d'une couche amorphe étant formée sur la couche de surface d'un substrat cristallin par implantation unique peut être déterminée de manière peu coûteuse et pratique, et à proposer un procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur. La solution proposée consiste en un procédé pour simuler une implantation ionique qui comprend une étape (S1) destinée à intégrer la répartition de concentration N0(x) de Ge dans un substrat en silicium (20) pour un essai, depuis l'épaisseur d0 d'une couche amorphe (20a) jusqu'à l’infini et calculer une valeur d'intégration Φa/c, une étape (S2) destinée à se rapporter à une base de données (105) et obtenir les paramètres de forme de la répartition de concentration de Ge dans un substrat en silicium (30) pour le produit, une étape (S3) destinée à générer une fonction de répartition Na(x) pour se rapprocher de la répartition de concentration de Ge en utilisant les paramètres de forme et une étape (S4) pour déterminer une telle profondeur da au fur et à mesure que la valeur obtenue en intégrant une fonction de répartition Na(x) depuis l'épaisseur da jusqu'à l'infini devient égale à Φa/c et spécifier da comme étant l'épaisseur d’une couche amorphe (30a).
(JA)【課題】 イオン注入によって結晶性基板の表層に形成される非晶質層の厚さを安価且つ簡便に求めることができるイオン注入のシミュレーション方法と半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 試験用シリコン基板20におけるGeの濃度分布N0(x)を非晶質層20aの厚さd0から無限大まで積分して積分値Φa/cを算出するステップS1と、データベース105を参照し、製品用シリコン基板30におけるGeの濃度分布の形状パラメータを取得するステップS2と、形状パラメータを用いてGeの濃度分布を近似する分布関数Na(x)を生成するステップS3と、分布関数Na(x)を深さdaから無限大まで積分したときの積分値が積分値Φa/cに等しくなる深さdaを求め、daが非晶質層30aの厚さであると特定するステップS4とを有するイオン注入のシミュレーション方法による。                                                                                 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)