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1. (WO2007007386) SIMOX基板の製造方法及び該方法により得られるSIMOX基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/007386    国際出願番号:    PCT/JP2005/012734
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 11.07.2005
IPC:
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
出願人: SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ADACHI, Naoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOMATSU, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ADACHI, Naoshi; (JP).
KOMATSU, Yukio; (JP)
代理人: SUDA, Masayoshi; OAK Ikebukuro Bldg. 21-11, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SIMOX SUBSTRATE, AND SIMOX SUBSTRATE PRODUCED BY SAID PROCESS
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN SUBSTRAT SIMOX ET SUBSTRAT SIMOX PRODUIT PAR LEDIT PROCÉDÉ
(JA) SIMOX基板の製造方法及び該方法により得られるSIMOX基板
要約: front page image
(EN)This invention provides a process for producing an SIMOX substrate that can efficiently trap heavy metal contamination in a device process into a substrate. The process for producing an SIMOX substrate is characterized by comprising the step of implanting oxygen ion into a wafer and the step of subjecting the wafer to first heat treatment in a predetermined gas atmosphere at 1300 to 1390ºC to form an embedded oxide layer and forming an SOI layer on the surface of the wafer. This process is characterized in that the wafer before oxygen ion implantation has an oxygen concentration of 8 × 1017 to 1.8 × 1018 atoms/cm3 (old ASTM), the embedded oxide layer is formed over the whole wafer surface, and the process further comprises the step of subjecting the wafer subjected to the first heat treatment to second heat treatment in a predetermined gas atmosphere at 400 to 900ºC for 1 to 96 hr to form an oxygen precipitated nucleus in a bulk layer below a defect collected layer formed just under the embedded oxide layer, and the step of subjecting the wafer subjected to second heat treatment to third heat treatment in a predetermined gas atmosphere at a temperature above the second heat treatment temperature, i.e., at 900 to 1250ºC for 1 to 96 hr to grow the oxygen precipitated nucleus into an oxygen precipitate.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire un substrat SIMOX qui peut piéger efficacement une contamination de métaux lourds dans le traitement d’un dispositif en un substrat. Le procédé pour produire ledit substrat est caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à implanter un ion oxygène dans une plaquette et l'étape consistant à soumettre la plaquette à un premier traitement à chaud dans une atmosphère gazeuse prédéterminée entre 1300 et 1390 °C pour former une couche d'oxyde incluse et former une couche SOI sur la surface de la plaquette. Ce procédé est caractérisé en ce que la plaquette, avant l'implantation d'ions oxygène, présente une concentration en oxygène de 8 × 1017 à 1,8 × 1018 atomes/cm3 (ancienne norme ASTM) et la couche d'oxyde incluse est formée sur la totalité de la surface de la plaquette. Le procédé comprend en outre l'étape consistant à soumettre la plaquette soumise au premier traitement à chaud à un deuxième traitement à chaud dans une atmosphère gazeuse prédéterminée entre 400 et 900 °C pendant 1 à 96 h pour former un noyau de précipité d’oxygène dans une couche massive en dessous d'une couche collectée de défauts formée juste sous la couche d'oxyde incluse, et l'étape consistant à soumettre la plaquette soumise à un deuxième traitement à chaud à un troisième traitement à chaud dans une atmosphère gazeuse prédéterminée à une température au-dessus de la deuxième température de traitement à chaud, à savoir, entre 900 et 1250 °C pendant 1 à 96 h pour faire croître le noyau de précipité d'oxygène en un précipité d'oxygène.
(JA) デバイス工程での重金属汚染を基板内部に効率良く捕獲することができる。  ウェーハ内部に酸素イオン注入する工程と、ウェーハを所定のガス雰囲気中、1300~1390°Cで第1熱処理して埋込み酸化層を形成するとともにウェーハ表面にSOI層を形成する工程とを含み、酸素イオン注入前のウェーハが8×1017~1.8×1018atoms/cm(旧ASTM)の酸素濃度を有し、埋込み酸化層がウェーハ全面にわたって形成され、第1熱処理したウェーハを所定のガス雰囲気中、400~900°Cで1~96時間第2熱処理して、埋込み酸化層の直下に形成される欠陥集合層より下方のバルク層に酸素析出核を形成する工程と、第2熱処理したウェーハを所定のガス雰囲気中、第2熱処理温度より高い900~1250°Cで1~96時間第3熱処理して、形成された酸素析出核を酸素析出物に成長させる工程とを含むことを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)