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1. WO2007007371 - 回路シミュレーション方法、回路シミュレーション装置及び回路シミュレーションプログラム

公開番号 WO/2007/007371
公開日 18.01.2007
国際出願番号 PCT/JP2005/012567
国際出願日 07.07.2005
IPC
G06F 17/50 2006.1
G物理学
06計算;計数
F電気的デジタルデータ処理
17特定の機能に特に適合したデジタル計算またはデータ処理の装置または方法
50計算機利用設計
G11C 11/22 2006.1
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21電気的素子を用いるもの
22強誘電体素子を用いるもの
CPC
G06F 30/367
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
30Computer-aided design [CAD]
30Circuit design
36Circuit design at the analogue level
367Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 田村 哲朗 TAMURA, Tetsuro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 田村 哲朗 TAMURA, Tetsuro
代理人
  • 奥山 雄毅 OKUYAMA, Yuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CIRCUIT SIMULATION METHOD, CIRCUIT SIMULATION DEVICE AND CIRCUIT SIMULATION PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE SIMULATION DE CIRCUIT, DISPOSITIF DE SIMULATION DE CIRCUIT ET PROGRAMME DE SIMULATION DE CIRCUIT
(JA) 回路シミュレーション方法、回路シミュレーション装置及び回路シミュレーションプログラム
要約
(EN) A simulation method, a simulation program and a simulation device for accurately reproducing an operation of a semiconductor circuit wherein a ferroelectric capacitor is used, without being influenced by a ferroelectric material of the ferroelectric capacitor. In the circuit simulation method, the ferroelectric thin film capacitor is expressed by connecting in parallel a plurality of capacitor elements composed of serial connection of a resistor and a capacitor, and a polarization reversal response is reproduced by using saturation polarization, coercive voltage and resistance of the capacitor element as parameters. The method is characterized in that the current value is set as a function of a voltage (VR) applied on both ends of the resistance and a polarization value (P) of the capacitor, and the operation of a circuit including the ferroelectric thin film capacitor is reproduced.
(FR) Procédé de simulation, programme de simulation et dispositif de simulation pour reproduire avec précision le fonctionnement d’un circuit semi-conducteur au moyen d'un condensateur ferroélectrique, sans être influencé par le matériau ferroélectrique du condensateur ferroélectrique. Dans le procédé de simulation de circuit selon l'invention, le condensateur ferroélectrique à couche mince est exprimé en connectant en parallèle une pluralité d’éléments de condensateurs composés de la connexion en série d'une résistance et d’un condensateur, et une réponse d'inversement de polarisation est reproduite en utilisant la polarisation de saturation, la tension coercitive et la résistance des éléments de condensateurs comme paramètres. Le procédé selon l’invention est caractérisé en ce que la valeur du courant est définie comme une fonction d'une tension (VR) appliquée aux deux extrémités de la résistance et d'une valeur de polarisation (P) du condensateur, et en ce que le fonctionnement d’un circuit comprenant un condensateur ferroélectrique à couche mince est reproduit.
(JA)  強誘電体キャパシタの強誘電体材料に左右されることなく、精度良く強誘電体キャパシタを用いる半導体回路の動作を再現することができるシミュレーション方法、シミュレーションプログラム及びシミュレーション装置を提供することを課題とする。強誘電体薄膜キャパシタを、抵抗とキャパシタとの直列接続からなるキャパシタ要素を複数並列接続して表現し、前記キャパシタ要素の飽和分極、抗電圧および抵抗をパラメータとして用いて分極反転応答を再現する回路シミュレーション方法において、前記抵抗は、その電流値を抵抗の両端にかかる電圧V及び前記キャパシタの分極値Pの関数として設定し、前記強誘電体薄膜キャパシタを含む回路の動作を再現することを特徴とする。
関連特許文献
国際事務局に記録されている最新の書誌情報