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1. (WO2007004661) 弾性表面波デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/004661    国際出願番号:    PCT/JP2006/313365
国際公開日: 11.01.2007 国際出願日: 28.06.2006
IPC:
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
出願人: EPSON TOYOCOM CORPORATION [JP/JP]; 484, Tsukagoshi 3-chome, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2128513 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OWAKI, Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORITA, Takao [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OWAKI, Takuya; (JP).
MORITA, Takao; (JP)
代理人: KAMIYANAGI, Masataka; c/o Intellectual Property Division, SEIKO EPSON CORPORATION, 80, Harashinden, Hirooka, Shiojiri-shi Nagano 3990785 (JP)
優先権情報:
2005-192660 30.06.2005 JP
発明の名称: (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D’ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE
(JA) 弾性表面波デバイス
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a means for improving a Q value of an SAW device which uses SH wave type surface acoustic wave. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A rotated Y-cut crystal substrate has a cut angle (&thetas;) satisfying an inequality of -64.0°<&thetas;<-49.3° in a counterclockwise direction from a Z axis. In the surface acoustic wave device, at least one IDT electrode is arranged along a vertical direction (Z’ axis direction) of a crystal axis (X) of the crystal substrate, and grating reflectors are arranged on the both sides. A film thickness (H) of the electrode is standardized by an electrode cycle (&lgr;) of the IDT electrode to satisfy an inequality of 0.04<H/&lgr;<0.12. When a crossing width of the IDT electrode is expressed as (W), the standardized crossing width W/&lgr; standardized by the electrode cycle (&lgr;) of the IDT electrode satisfies an inequality of 20≤W/&lgr;≤50.
(FR)La présente invention concerne un moyen d’augmenter l’énergie de désintégration d’un dispositif SAW qui utilise une onde acoustique de surface de type onde SH. Un substrat de cristal coupé selon l’axe Y rotatif présente un angle de coupe (&thetas;) satisfaisant une inégalité de -64,0°<&thetas;<-49,3° dans le sens inverse des aiguilles d’une montre par rapport à l’axe Z. Dans le dispositif selon l'invention, au moins une électrode IDT est disposée le long de la direction verticale (direction de l’axe Z’) d’un axe de cristal (X) du substrat cristallin, et des réflecteurs en réseau sont disposés de chaque côté. L’épaisseur de pellicule (H) de l’électrode est normalisée par un cycle d’électrode (&lgr;) de l’électrode IDT pour satisfaire une inégalité de 0,04<H/&lgr;<0,12. Lorsque la largeur de section de l’électrode IDT est exprimée comme (W), l'épaisseur de section normalisée W/&lgr; normalisée par le cycle d’électrode (&lgr;) de l’électrode IDT satisfait une inégalité de 20≤W/&lgr;≤50.
(JA)課題 SH波型表面波を用いたSAWデバイスのQ値を改善する手段を得る。解決手段 カット角θをZ軸より反時計方向に−64.0°<θ<−49.3°とした回転Yカット水晶基板の結晶軸Xの垂直方向(Z’軸方向)沿って、少なくとも1つのIDT電極を配置すると共に、その両側にグレーティング反射器を配設し、該電極の膜厚Hを前記IDT電極の電極周期λで基準化して0.04<H/λ<0.12とし、前記IDT電極の交差幅をWとした弾性表面波デバイスにおいて、前記IDT電極の電極周期λで基準化した基準化交差幅W/λを20≦W/λ≦50として弾性表面波デバイスを構成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)