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1. WO2007004631 - 粒界性格制御多結晶の作製方法

公開番号 WO/2007/004631
公開日 11.01.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/313275
国際出願日 04.07.2006
予備審査請求日 23.04.2007
IPC
C30B 28/08 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
28特定構造を有する均質多結晶物質の製造
04液体から
08ゾーンメルティングによるもの
C01B 33/02 2006.1
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
33けい素;その化合物
02けい素
H01L 31/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
C01B 33/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
出願人
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 宇佐美 徳隆 USAMI, Noritaka [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中嶋 一雄 NAKAJIMA, Kazuo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤原 航三 FUJIWARA, Kozo [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 宇佐美 徳隆 USAMI, Noritaka
  • 中嶋 一雄 NAKAJIMA, Kazuo
  • 藤原 航三 FUJIWARA, Kozo
代理人
  • 重信和男 SHIGENOBU, Kazuo
優先権情報
2005-19538804.07.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PREPARING GRAIN BOUNDARY CHARACTER CONTROLLED POLYCRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ D’ÉLABORATION DE POLYCRISTAL CONTRÔLÉ PAR UN CARACTÈRE DE LIMITE DES GRAINS
(JA) 粒界性格制御多結晶の作製方法
要約
(EN) This invention provides a grain boundary character control technique for a polycrystalline material that can prepare a polycrystalline material having a low grain boundary energy interface within the crystal. When unidirectional growth is carried out utilizing, as a seed crystal, a polycrystal having a high grain boundary energy of which the relative orientation relation has been intentionally rendered random, grain boundaries having low grain boundary energy are spontaneously formed from random grain boundaries having high grain boundary energy under proper growth conditions. According to this technique, all of polycrystalline grain boundaries can be provided as corresponding grain boundaries having a low sigma value. In the formed polycrystalline material, the number of unbonding hands in the grain boundary is small. Accordingly, also regarding macroscopic properties of the polycrystalline material constituted as a grain boundary network, development of excellent properties such as low electroactivity and high crystal strength can be realized.
(FR) La présente invention concerne une technique de contrôle de caractère de limite des grains pour matériau polycristallin permettant d’élaborer un matériau polycristallin présentant une interface de faible énergie de limite des grains à l’intérieur du cristal. Si l’on procède à une croissance unidirectionnelle en utilisant, comme cristal d’ensemencement, un polycristal de forte énergie de limite des grains dont l’orientation relative a volontairement été rendue aléatoire, des limites des grains de faible énergie de limite des grains se forment spontanément à partir des limites des grains aléatoires de forte énergie de limite des grains dans des conditions de croissance adéquates. Selon la présente technique, toutes les limites de grains polycristallins peuvent devenir des limites des grains correspondantes de faible valeur sigma. Dans le matériau polycristallin formé, le nombre de mains sans liaison dans les limites des grains est petit. En conséquence, pour ce qui est des propriétés macroscopiques du matériau polycristallin constitué comme réseau de limite des grains, on peut obtenir le développement d’excellentes propriétés comme une faible électroactivité et une résistance cristalline élevée.
(JA)  多結晶材料における粒界性格の制御技術を提供し、結晶内部に粒界エネルギーの低い界面を持つ多結晶材料を作製する。意図的に相対方位関係がランダムな粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を種結晶として利用して、一方向成長を行うと、適切な成長条件の下では、粒界エネルギーの高いランダム粒界から、粒界エネルギーの低い粒界が自発的に形成される。本技術で、多結晶の粒界の全てを低シグマ値の対応粒界に揃えることが可能となり、形成される多結晶材料は、粒界における未結合手が少ないため、粒界のネットワークとして構成されている多結晶材料のマクロな性質においても、電気的活性度が小さい、結晶の強度が高いなどの優れた特性の発現を可能とする。                                                                                 
関連特許文献
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