(EN) This invention provides a grain boundary character control technique for a polycrystalline material that can prepare a polycrystalline material having a low grain boundary energy interface within the crystal. When unidirectional growth is carried out utilizing, as a seed crystal, a polycrystal having a high grain boundary energy of which the relative orientation relation has been intentionally rendered random, grain boundaries having low grain boundary energy are spontaneously formed from random grain boundaries having high grain boundary energy under proper growth conditions. According to this technique, all of polycrystalline grain boundaries can be provided as corresponding grain boundaries having a low sigma value. In the formed polycrystalline material, the number of unbonding hands in the grain boundary is small. Accordingly, also regarding macroscopic properties of the polycrystalline material constituted as a grain boundary network, development of excellent properties such as low electroactivity and high crystal strength can be realized.
(FR) La présente invention concerne une technique de contrôle de caractère de limite des grains pour matériau polycristallin permettant d’élaborer un matériau polycristallin présentant une interface de faible énergie de limite des grains à l’intérieur du cristal. Si l’on procède à une croissance unidirectionnelle en utilisant, comme cristal d’ensemencement, un polycristal de forte énergie de limite des grains dont l’orientation relative a volontairement été rendue aléatoire, des limites des grains de faible énergie de limite des grains se forment spontanément à partir des limites des grains aléatoires de forte énergie de limite des grains dans des conditions de croissance adéquates. Selon la présente technique, toutes les limites de grains polycristallins peuvent devenir des limites des grains correspondantes de faible valeur sigma. Dans le matériau polycristallin formé, le nombre de mains sans liaison dans les limites des grains est petit. En conséquence, pour ce qui est des propriétés macroscopiques du matériau polycristallin constitué comme réseau de limite des grains, on peut obtenir le développement d’excellentes propriétés comme une faible électroactivité et une résistance cristalline élevée.
(JA) 多結晶材料における粒界性格の制御技術を提供し、結晶内部に粒界エネルギーの低い界面を持つ多結晶材料を作製する。意図的に相対方位関係がランダムな粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を種結晶として利用して、一方向成長を行うと、適切な成長条件の下では、粒界エネルギーの高いランダム粒界から、粒界エネルギーの低い粒界が自発的に形成される。本技術で、多結晶の粒界の全てを低シグマ値の対応粒界に揃えることが可能となり、形成される多結晶材料は、粒界における未結合手が少ないため、粒界のネットワークとして構成されている多結晶材料のマクロな性質においても、電気的活性度が小さい、結晶の強度が高いなどの優れた特性の発現を可能とする。
