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1. (WO2007004610) シリコンの再利用方法ならびにその方法により製造したシリコンおよびシリコンインゴット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/004610    国際出願番号:    PCT/JP2006/313229
国際公開日: 11.01.2007 国際出願日: 03.07.2006
IPC:
C01B 33/037 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUYAMA, Toshiaki; (米国のみ).
OKUNO, Tetsuhiro; (米国のみ).
WAKUTA, Junzo; (米国のみ)
発明者: FUKUYAMA, Toshiaki; .
OKUNO, Tetsuhiro; .
WAKUTA, Junzo;
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2005-195029 04.07.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF SILICON RECYCLING AND PRODUCED THEREBY, SILICON AND SILICON INGOT
(FR) PROCÉDÉ DE RECYCLAGE DE SILICIUM, SILICIUM ET LINGOT DE SILICIUM PRODUITS PAR CELUI-CI
(JA) シリコンの再利用方法ならびにその方法により製造したシリコンおよびシリコンインゴット
要約: front page image
(EN)For efficient recycling of silicon offcuts obtained by silicon chunk cutting as a raw material silicon for solar cells, there is provided a method of silicon recycling characterized, according to one aspect, by including the step of melting silicon offcuts by heat application and the step of immersing a base material for deposition in molten silicon to thereby attain silicon deposition on the surface of the deposition base material. In a preferred mode, the method further includes the step of detaching silicon deposited on the surface of the deposition base material from the deposition base material. The silicon chunk is preferably a silicon ingot obtained by melting a silicon raw material for solar cells in a mold and solidifying the molten material.
(FR)Selon la présente invention, pour un recyclage efficace de chutes de silicium obtenues en découpant des morceaux de silicium en tant que silicium comme matière première destiné à des piles solaires, on propose un procédé de recyclage de silicium caractérisé, selon un aspect, en ce qu'il comprend l'étape consistant à faire fondre des chutes de silicium par application de chaleur et l'étape consistant à immerger un matériau de base pour un dépôt dans le silicium fondu afin d'obtenir ainsi un dépôt de silicium sur la surface du matériau de base de dépôt. Dans un mode préféré, le procédé comprend en outre l'étape consistant à détacher le silicium déposé sur la surface du matériau de base de dépôt à partir de celui-ci. Le morceau de silicium est de préférence un lingot de silicium obtenu en faisant fondre du silicium comme matière première destiné à des piles solaires dans un moule et à solidifier le matériau fondu.
(JA) シリコン塊の切断により得られるシリコン端材を、太陽電池用原料シリコンとして効率よく再利用するため、本発明のシリコンの再利用方法は、ある局面によれば、シリコン端材を加熱溶融する工程と、溶融シリコンに析出用基体を浸漬し、析出用基体表面にシリコンを析出させる工程を備えることを特徴とする。析出用基体表面のシリコンを析出用基体から剥離する工程を備える態様が好ましい。また、シリコン塊は、鋳型内で太陽電池用シリコン原料を溶融した後、凝固して得られるシリコンインゴットが好適である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)