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1. (WO2007004576) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/004576 国際出願番号: PCT/JP2006/313123
国際公開日: 11.01.2007 国際出願日: 30.06.2006
予備審査請求日: 02.02.2007
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 16/511 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
511
マイクロ波放電を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人: SUGAI, Hideo[JP/JP]; JP (UsOnly)
IDE, Tetsuya[JP/JP]; null (UsOnly)
SASAKI, Atsushi[JP/JP]; null (UsOnly)
AZUMA, Kazufumi[JP/JP]; null (UsOnly)
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY[JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi Aichi 4648601, JP (AllExceptUS)
Advanced LCD Technologies Development Center Co., Ltd.[JP/JP]; 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2440817, JP (AllExceptUS)
発明者: SUGAI, Hideo; JP
IDE, Tetsuya; null
SASAKI, Atsushi; null
AZUMA, Kazufumi; null
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon Minato-ku, Tokyo 105-0001, JP
優先権情報:
2005-19655505.07.2005JP
発明の名称: (EN) PLASMA TREATMENT APPARATUS AND PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約:
(EN) A stress applied to a slot board and a dielectric for generating surface plasma is reduced by depressurizing inside a vacuum waveguide tube for propagating microwaves to high vacuum, preventing abnormal discharge in the vacuum waveguide tube and the slot board, and by reducing a pressure difference between a pressure inside the treatment chamber and that inside the vacuum waveguide tube. Thus, high quality plasma treatment is performed.
(FR) L'invention concerne une tension qui est appliquée à une carte et un diélectrique destiné à générer un plasma pour un traitement de surface, réduit par dépressurisation à l'intérieur d'un guide d'ondes tubulaire sous vide destiné à la propagation de micro-ondes en vide poussé, empêchant une décharge anormale dans le guide d'ondes et la carte, et par réduction d'une différence de pression entre l'intérieur de la chambre de traitement et l'intérieur du guide d'ondes. Un traitement par plasma de qualité élevée est ainsi possible.
(JA)  本発明は、マイクロ波を伝播する真空導波管内を高真空に減圧して、真空導波管内やスロット板における異常放電を防止し、且つ処理チャンバ内と真空導波管内との圧力差を少なくすることにより、スロット板及び表面プラズマを発生させるための誘電体に加わる応力を減少させて、高品質なプラズマ処理を実施するためのプラズマ処理装置である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)