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1. (WO2007004550) 半導体ウェーハの製造方法および製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/004550    国際出願番号:    PCT/JP2006/313082
国際公開日: 11.01.2007 国際出願日: 30.06.2006
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), H01L 21/26 (2006.01)
出願人: KOMATSU DENSHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 25-1, Shinomiya 3-chome, Hiratsuka-shi, Kanagawa 2540014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NASU, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATOU, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NARAHARA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNAGA, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NASU, Yuichi; (JP).
KATOU, Hirotaka; (JP).
NARAHARA, Kazuhiro; (JP).
MATSUNAGA, Hideyuki; (JP)
代理人: KIMURA, Takahisa; 6F, Sendai Building, 8-11, Minato 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040043 (JP)
優先権情報:
2005-197887 06.07.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION D’UNE GALETTE EN SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの製造方法および製造装置
要約: front page image
(EN)A method and an apparatus for manufacturing a semiconductor wafer are provided for improving a quality of the semiconductor wafer, and further, for improving a quality of a semiconductor device manufactured by using such semiconductor wafer, by preventing warping from being generated at a stage of a placing process, at the time of performing heat treatment to a semiconductor wafer substrate. The placing process is performed by a placing means so that a time when a temperature difference between a wafer front plane temperature and a wafer rear plane temperature is maximum, and a time when warping is generated in the wafer are prior to a time when the wafer is brought into contact with a lift pin or a susceptor (i.e., a time after the temperature is at an upper limit value of an infrared temperature region at 600°C), and the lift pin is brought into contact with the wafer rear plane.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un appareil de fabrication d’une galette en semi-conducteur permettant d’améliorer la qualité de la galette en semi-conducteur, et en outre d’améliorer la qualité d’un dispositif semi-conducteur fabriqué à partir d’une telle galette en semi-conducteur, par la prévention de l'apparition de distorsion pendant le processus de placement, au moment d’effectuer le traitement thermique sur un substrat de galette en semi-conducteur. Le processus de placement est effectué par un moyen de placement de façon que le moment où la différence de température entre le plan avant de la galette et le plan arrière de la galette est maximale, et le moment où la distorsion apparaît dans la galette sont antérieurs au moment où la galette est mise en contact avec une broche de levage ou un suscepteur (c.-à-d. le moment après que la température a atteint sa limite supérieure d’une zone de température infrarouge à 600°C), et où la broche de levage est mise en contact avec le plan arrière de la galette.
(JA) 半導体ウェーハ基板を熱処理するに際して、移載工程の段階では反りを生じさせないようにして、半導体ウェーハの品質、ひいてはそれによって製造される半導体デバイスの品質を高品質にするための半導体ウェーハの製造方法およびその製造装置に関する発明である。本発明では、ウェーハ表面温度とウェーハ裏面温度との温度差が最大値になるタイミング、ウェーハで反りが発生するタイミングが、リフトピン若しくはサセプタに接触する前となるように(赤外線温度領域の上限値である600゜Cとなる時刻よりも後の時期に)、移載手段による移載処理を実行して、リフトピンをウェーハ裏面に接触させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)