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1. WO2007004473 - IZOスパッタリングターゲットの製造方法

公開番号 WO/2007/004473
公開日 11.01.2007
国際出願番号 PCT/JP2006/312825
国際出願日 27.06.2006
IPC
C04B 35/00 2006.1
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
C23C 14/34 2006.1
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C04B 2235/3286
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3286Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
C04B 2235/5409
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5409expressed by specific surface values
C04B 2235/5436
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5436micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
C04B 2235/5445
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5445submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
C04B 2235/5454
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5454nanometer sized, i.e. below 100 nm
出願人
  • 出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 井上 一吉 INOUE, Kazuyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 海上 暁 KAIJO, Akira [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松原 雅人 MATSUBARA, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 井上 一吉 INOUE, Kazuyoshi
  • 海上 暁 KAIJO, Akira
  • 松原 雅人 MATSUBARA, Masato
代理人
  • 大谷 保 OHTANI, Tamotsu
優先権情報
2005-19350401.07.2005JP
2005-19350501.07.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESS FOR PRODUCING IZO SPUTTERING TARGET
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE CIBLE DE PULVÉRISATION IZO
(JA) IZOスパッタリングターゲットの製造方法
要約
(EN) A process for IZO sputtering target production in which the number of steps can be reduced while maintaining properties required of an IZO sputtering target to thereby attain an improvement in productivity and a reduction in production cost. Also provided is the production process in which a reduced sintering temperature can be used to thereby attain an improvement in productivity and a reduction in production cost. The process for producing an IZO sputtering target is characterized by comprising: a mixing/pulverization step in which either an indium oxide powder and zinc oxide power each having specific properties or a raw powder comprising these powders as major components is mixed and pulverized to obtain a fine powder; a molding step in which the fine powder is molded to obtain a molding; and a sintering step in which the molding is sintered at 1,250-1,450°C in an oxygenous atmosphere or sintered at 1,100-1,250°C in an oxygenous atmosphere with pressurizing to thereby obtain a sinter.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une cible de pulvérisation IZO dans lequel le nombre d’étapes peut être réduit tout en conservant les propriétés requises d'une cible de pulvérisation IZO permettant ainsi d’améliorer la productivité et de réduire les coûts de fabrication. L'invention prévoit en outre un procédé de fabrication dans lequel une température de frittage réduite peut être utilisée permettant ainsi d’améliorer la productivité et de réduire les coûts de fabrication. Le procédé de fabrication de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de mélange/pulvérisation dans laquelle une poudre d'oxyde d'indium et une poudre d'oxyde de zinc ayant chacune des propriétés spécifiques ou une poudre brute comprenant ces poudres comme composants principaux est mélangée et pulvérisée pour obtenir une poudre fine ; une étape de moulage dans laquelle la poudre fine est moulée pour obtenir une pièce moulée ; et une étape de frittage dans laquelle la pièce moulée est frittée à 1250-1450 °C dans une atmosphère d’oxygène ou frittée sous pression à une température de 1100 à 1250 °C dans une atmosphère d'oxygène pour obtenir ainsi un aggloméré.
(JA)  IZOスパッタリングターゲットの製造において、IZOスパッタリングターゲットとしての特性を維持しつつ、工程を削減することにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供する。また、焼結温度を下げることにより生産性の向上及び製造コストの低減が可能となる製造方法を提供する。  特定の性状を有する酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末とを、又はこれらの粉末を主成分とする原料粉末を混合粉砕して微粉末を得る混合粉砕工程、前記微粉末を成型して成型物を得る成型工程、前記成型物を酸素雰囲気中1250~1450°Cで、又は前記成型物を加圧下、酸素雰囲気中1100~1250°Cで焼結して焼結体を得る焼結工程を含むことを特徴とするIZOスパッタリングターゲットの製造方法である。
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