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1. (WO2007004381) SiOCH膜の製造方法およびプラズマCVD装置、並びにSiOCH膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/004381    国際出願番号:    PCT/JP2006/311321
国際公開日: 11.01.2007 国際出願日: 06.06.2006
IPC:
H01L 21/316 (2006.01)
出願人: JURIDICAL FOUNDATION OSAKA INDUSTRIAL PROMOTION ORGANIZATION [JP/JP]; c/o MydomeOsaka, 2-5, Honmachibashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400029 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJIWARA, Yasufumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAI, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIZAKO, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAOKA, Keisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUKIYAMA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJIWARA, Yasufumi; (JP).
TERAI, Yoshikazu; (JP).
YOSHIZAKO, Yuji; (JP).
YAMAOKA, Keisuke; (JP).
TSUKIYAMA, Daisuke; (JP).
KATO, Hideaki; (JP)
代理人: KAWAMIYA, Osamu; AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2005-192373 30.06.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SiOCH FILM, PLASMA CVD APPARATUS AND SiOCH FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM DE SiOCH, APPAREIL DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR AU PLASMA
(JA) SiOCH膜の製造方法およびプラズマCVD装置、並びにSiOCH膜
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing an SiOCH film includes a step of generating plasma from a plasma source; a step of supplying a TEOS gas to a film forming chamber wherein a substrate is held; a step of introducing the plasma from the plasma source to the film forming chamber; and a step of depositing the SiOCH film on the substrate by bringing the plasma into contact with the TEOS and decomposing the TEOS. A manufacturing apparatus includes the plasma source for generating plasma, the film forming chamber provided with a substrate holder for placing the substrate, and a connecting section for connecting the plasma chamber with the film forming chamber. The TEOS supplied to the film forming chamber is decomposed by the plasma introduced to the film forming chamber from the plasma source through the connecting section, and is deposited on the substrate as the SiOCH film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film de SiOCH qui inclut une phase de génération de plasma à partir d'une source de plasma ; une phase d'alimentation d'un gaz TEOS à une chambre de formation de film, dans laquelle un substrat est conservé ; une phase d'introduction du plasma à partir de la source de plasma dans la chambre de formation de film ; et une phase de dépôt du film de SiOCH sur le substrat par la mise en contact du plasma avec le TEOS et la décomposition du TEOS. Un appareil de fabrication inclut la source de plasma servant à générer du plasma, la chambre de formation de film équipée d'un support de substrat servant à y placer le substrat, ainsi qu'une section de raccordement servant à raccorder la chambre de plasma avec la chambre de formation de film. Le TEOS fournit à la chambre de formation de film est décomposé par le plasma introduit dans la chambre de formation de film à partir de la source de plasma à travers la section de raccordement, et est déposé sur le substrat en tant que film de SiOCH.
(JA) SiOCH膜の製造方法が、プラズマ源でプラズマを発生させる工程と、基板が保持された製膜室にTEOSガスを供給する工程と、プラズマ源からプラズマを製膜室に導入する工程と、プラズマをTEOSに接触させてTEOSを分解し、基板上にSiOCH膜を堆積させる工程を含む。製造装置は、プラズマを発生させるプラズマ源と、基板を載置する基板ホルダを有する製膜室と、プラズマ室と製膜室とを接続する接続部とを含み、プラズマ源から接続部を介して製膜室に導入されたプラズマにより、製膜室に供給されたTEOSが分解され、基板上にSiOCH膜として堆積される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)