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1. (WO2007004282) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/004282    国際出願番号:    PCT/JP2005/012314
国際公開日: 11.01.2007 国際出願日: 04.07.2005
IPC:
H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGAWARA, Kaoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUDOU, Masahito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASAI, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAZAKI, Yukimasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAIGOH, Kaoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAGAI, Kouichi; (JP).
SATO, Katsuhiro; (JP).
SUGAWARA, Kaoru; (JP).
TAKAHASHI, Makoto; (JP).
KUDOU, Masahito; (JP).
ASAI, Kazuhiro; (JP).
MIYAZAKI, Yukimasa; (JP).
SAIGOH, Kaoru; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th floor Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A protective film (56) having a water/hydrogen shielding function is formed so as to cover the periphery of a pad electrode (54a) in such a state that is electrically insulated from the pad electrode. A highly moisture resistant electrically conductive material, which has a significantly higher water/hydrogen shielding function than insulating materials, specifically palladium (Pd) or a palladium-containing material, iridium (Ir) or iridium oxide (IrOx wherein x is typically 2) or an iridium- or iridium oxide-containing material is used as the material for the protective film. A highly reliable FeRAM can be realized which can surely prevent the internal entry of water/hydrogen in a relatively simple construction, and can maintain high performance of a ferroelectric capacitor structure (30).
(FR)L'invention concerne un film protecteur (56) présentant une fonction de protection contre l'eau/l'hydrogène qui est formé de façon à recouvrir la périphérie de l'électrode d'une plage de connexion (54a) dans un état tel qu'elle est isolée de l'électrode de la plage de connexion. Un matériau conducteur électriquement hautement résistant à l'humidité, qui présente une fonction de protection contre l'eau/l'hydrogène significativement supérieure à celle de matériaux isolants, en particulier du palladium (Pd) ou un matériau contenant du palladium, de l'iridium (Ir) ou un oxyde d'iridium (IrOx où x vaut de manière caractéristique 2) ou un matériau contenant de l'iridium ou un oxyde d'iridium, est utilisé en tant que matériau pour le film protecteur. Une mémoire FeRAM très fiable peut être réalisée, laquelle prévient de manière sûre l'entrée d'eau/d'hydrogène selon une conception relativement simple, et elle peut maintenir les performances élevées d'une structure de condensateur ferroélectrique (30).
(JA) パッド電極(54a)の周囲を覆うように、当該パッド電極と電気的に絶縁した状態に、水・水素遮断機能を有する保護膜(56)を形成する。保護膜材料の選択として、絶縁材料よりも顕著に水・水素遮断機能を示す高い耐湿性を有する導電材料、本発明ではパラジウム(Pd)又はこれを含有する材料か、イリジウム(Ir)又はイリジウム酸化物(IrO:典型的にはx=2)又はこれらを含有する材料を用いる。比較的簡易な構成で十分な水・水素の内部侵入を確実に防止し、強誘電体キャパシタ構造(30)の高性能を保持する信頼性の高いFeRAMが実現する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)