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1. WO2007004281 - ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子

公開番号 WO/2007/004281
公開日 11.01.2007
国際出願番号 PCT/JP2005/012301
国際出願日 04.07.2005
予備審査請求日 17.02.2006
IPC
H01L 21/28 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/288 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 31/04 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
出願人
  • 東洋アルミニウム株式会社 TOYO ALUMINIUM KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 和辻 隆 WATSUJI, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中原 潤 NAKAHARA, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 和辻 隆 WATSUJI, Takashi
  • 中原 潤 NAKAHARA, Jun
代理人
  • 甲田 一幸 KODA, Kazuyuki
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PASTE COMPOSITION AND SOLAR CELL ELEMENT USING SAME
(FR) COMPOSITION DE PÂTE ET ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE UTILISANT CELLE-CI
(JA) ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
要約
(EN) A paste composition which can prevent warpage or breakage from being generated even when a thinner silicon semiconductor substrate is used and can achieve high BSF effects and a high energy conversion efficiency, and a solar cell element provided with an electrode formed by using such composition are provided. The paste composition is provided for forming an aluminum electrode layer (8) on a p-type silicon semiconductor substrate (1) and includes an aluminum powder, organic vehicle and a carbon powder. The solar cell element is provided with the aluminum electrode layer (8), which is formed by applying the paste composition having the above mentioned features on the p-type silicon semiconductor substrate (1) and then burning the paste. The aluminum electrode layer (8) includes carbon particles.
(FR) L'invention concerne une composition de pâte qui peut prévenir la génération d'un gauchissement ou d'une cassure même lorsqu'un substrat semi-conducteur de silicium plus mince est utilisé, et qui peut obtenir des effets BSF élevés et un haut rendement de conversion d'énergie, ainsi qu'un élément de cellule solaire muni d'une électrode formée en utilisant une telle composition. La composition de pâte est utilisée pour former une couche d'électrode d'aluminium (8) sur un substrat semi-conducteur de silicium de type p (1) et elle inclut une poudre d'aluminium, un liant organique et une poudre de carbone. L'élément de cellule solaire est muni de la couche d'électrode d'aluminium (8) qui est formée en appliquant la composition de pâte présentant les caractéristiques mentionnées ci-dessus sur le substrat semi-conducteur de silicium de type p (1) puis en surchauffant la pâte. La couche d'électrode d'aluminium (8) inclut des particules de carbone.
(JA)  より薄いシリコン半導体基板を用いても、反りまたは割れが発生することを防止することができるとともに、高いBSF効果と高いエネルギー変換効率とを達成することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池素子を提供する。ペースト組成物は、p型シリコン半導体基板(1)の上にアルミニウム電極層(8)を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、炭素粉末とを含む。太陽電池素子は、上述の特徴を有するペースト組成物をp型シリコン半導体基板(1)の上に塗布した後、焼成することにより形成したアルミニウム電極層(8)を備える。アルミニウム電極層(8)は炭素粒子を含む。
関連特許文献
EP5765309出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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