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1. WO2007004272 - 不純物濃度分布の予測方法及び不純物濃度分布を決定するプログラム

公開番号 WO/2007/004272
公開日 11.01.2007
国際出願番号 PCT/JP2005/012138
国際出願日 30.06.2005
IPC
H01L 21/265 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
265イオン注入法
H01L 21/66 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
H01L 21/26586
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
26586characterised by the angle between the ion beam and the crystal planes or the main crystal surface
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 29/045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
04characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
045by their particular orientation of crystalline planes
H01L 29/66575
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66568Lateral single gate silicon transistors
66575where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
出願人
  • 富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木邦広 SUZUKI, Kunihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鈴木邦広 SUZUKI, Kunihiro
代理人
  • 高橋敬四郎 TAKAHASHI, Keishiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PREDICTING DISTRIBUTION OF IMPURITY CONCENTRATION AND PROGRAM FOR DETERMINING IMPURITY CONCENTRATION
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À PRÉVOIR LA DISTRIBUTION DE LA CONCENTRATION DES IMPURETÉS ET PROGRAMME POUR DÉTERMINER LA CONCENTRATION DES IMPURETÉS
(JA) 不純物濃度分布の予測方法及び不純物濃度分布を決定するプログラム
要約
(EN) [PROBLEMS] To provide a method for predicting distribution of impurity concentration in which lateral spreading of impurities can be evaluated when ions are implanted while reducing restrictions. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A first evaluation substrate whose direction perpendicular to the surface is specified by a first index, and a second evaluation substrate where the direction specified by the first index is inclining from the normal line direction of the surface are prepared. The first evaluation substrate is implanted with ions from the perpendicular direction. The second evaluation substrate is implanted with ions by using an ion beam parallel with the direction specified by the first index. Distribution of impurity concentration in the depth direction is measured for the first and second evaluation substrates. Based on the distribution of impurity concentration measured for the first and second evaluation substrates, first distribution of impurity concentration on the extension of the ion beam and second distribution of impurity concentration in the direction intersecting the extension perpendicularly are predicted.
(FR) Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir un procédé destiné à prévoir la distribution de la concentration des impuretés selon lequel la propagation latérale des impuretés peut être évaluée lorsque des ions sont implantés tout en réduisant les restrictions. La solution proposée est de préparer un premier substrat d'évaluation dont la direction perpendiculaire à la surface est indiquée par un premier indice, et un second substrat d'évaluation, la direction indiquée par le premier indice étant inclinée par rapport à la direction de la ligne normale de la surface. Le premier substrat d'évaluation est implanté d’ions à partir de la direction perpendiculaire. Le second substrat d'évaluation est implanté d’ions en utilisant un faisceau d'ions parallèle à la direction indiquée par le premier indice. La distribution de la concentration des impuretés dans la direction de la profondeur est mesurée pour les premier et second substrats d'évaluation. Sur la base de la distribution de la concentration des impuretés mesurée pour les premier et second substrats d'évaluation, on prévoit la première distribution de la concentration des impuretés sur l’extension du faisceau d'ions et la seconde distribution de la concentration des impuretés dans la direction formant une intersection perpendiculaire avec l’extension.
(JA) 【課題】 イオン注入時の不純物の横方向への広がりを評価することができ、かつ制約条件の少ない不純物濃度分布の予測方法を提供する。 【解決手段】 表面に垂直な方向が第1の指数で与えられる第1の評価用基板と、第1の指数で与えられる方向が表面の法線方向から傾斜している第2の評価用基板とを準備する。第1の評価用基板に、垂直方向からイオン注入を行う。第2の評価用基板に、第1の指数で与えられる方向と平行なイオンビームを用いてイオン注入を行う。第1の評価用基板及び第2の評価用基板について、深さ方向に関する不純物濃度分布を測定する。測定された第1の評価用基板の不純物濃度分布と第2の評価用基板の不純物濃度分布とに基づいて、イオンビームの延長線上における第1の不純物濃度分布と、該延長線に直交する方向に関する第2の不純物濃度分布とを予測する。
関連特許文献
EP5765323出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
US11964300出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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