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1. (WO2007002860) PASSIVATION OF WIDE BAND-GAP BASED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HYDROGEN-FREE SPUTTERED NITRIDES
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/002860    国際出願番号:    PCT/US2006/025447
国際公開日: 04.01.2007 国際出願日: 28.06.2006
IPC:
H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
出願人: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703 (US) (米国を除く全ての指定国).
RING, Zoltan [US/US]; (US) (米国のみ).
HAGLEITNER, Helmut [US/US]; (US) (米国のみ).
HENNING, Jason, Patrick [US/US]; (US) (米国のみ).
MACKENZIE, Andrew [US/US]; (US) (米国のみ).
ALLEN, Scott, T. [US/US]; (US) (米国のみ).
SHEPPARD, Scott, Thomas [US/US]; (US) (米国のみ).
SMITH, Richard, Peter [US/US]; (US) (米国のみ).
SRIRAM, Saptharishi [US/US]; (US) (米国のみ).
WARD, Allan, III [US/US]; (US) (米国のみ)
発明者: RING, Zoltan; (US).
HAGLEITNER, Helmut; (US).
HENNING, Jason, Patrick; (US).
MACKENZIE, Andrew; (US).
ALLEN, Scott, T.; (US).
SHEPPARD, Scott, Thomas; (US).
SMITH, Richard, Peter; (US).
SRIRAM, Saptharishi; (US).
WARD, Allan, III; (US)
代理人: SUMMA, Philip; SUMMA, ALLAN & ADDITON, P.A., 11610 N. COMMUNITY HOUSE RD., Suite 200, Charlotte, NC 29277 (US)
優先権情報:
11/169,378 29.06.2005 US
発明の名称: (EN) PASSIVATION OF WIDE BAND-GAP BASED SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HYDROGEN-FREE SPUTTERED NITRIDES
(FR) PASSIVATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE LARGE BANDE INTERDITE AVEC NITRURES PULVÉRISÉS SANS HYDROGÈNE
要約: front page image
(EN)A passivated semiconductor structure and associated method are disclosed. The structure includes a silicon carbide substrate or layer; an oxidation layer on the silicon carbide substrate for lowering the interface density between the silicon carbide substrate and the thermal oxidation layer; a first sputtered non-stoichiometric silicon nitride layer on the thermal oxidation layer for reducing parasitic capacitance and minimizing device trapping; a second sputtered non-stoichiometric silicon nitride layer on the first layer for positioning subsequent passivation layers further from the substrate without encapsulating the structure; a sputtered stoichiometric silicon nitride layer on the second sputtered layer for encapsulating the structure and for enhancing the hydrogen barrier properties of the passivation layers; and a chemical vapor deposited environmental barrier layer of stoichiometric silicon nitride for step coverage and crack prevention on the encapsulant layer.
(FR)L’invention concerne une structure semi-conductrice passivée et un procédé associé. La structure comporte un substrat ou une couche de carbure de silicium ; une couche d’oxydation sur le substrat de carbure de silicium pour abaisser la densité d’interface entre le substrat de carbure de silicium et la couche d’oxydation thermique ; une première couche pulvérisée de nitrure de silicium non stoechiométrique sur la couche d’oxydation thermique pour réduire la capacitance parasitique et minimiser le piégeage du dispositif ; une seconde couche pulvérisée de nitrure de silicium non stoechiométrique sur la première couche pour positionner les couches de passivation subséquentes plus loin du substrat sans encapsuler la structure ; une couche pulvérisée de nitrure de silicium stoechiométrique sur la seconde couche pulvérisée permettant d’encapsuler la structure et de renforcer les propriétés de protection contre l’hydrogène des couches de passivation ; et une couche de protection environnementale déposée en phase gazeuse de nitrure de silicium stoechiométrique pour recouvrement graduel et prévention des fissures sur la couche d’encapsulation.
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: English (EN)
国際出願言語: English (EN)