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1. WO2006137439 - 熱処理装置

公開番号 WO/2006/137439
公開日 28.12.2006
国際出願番号 PCT/JP2006/312411
国際出願日 21.06.2006
IPC
H01L 21/26 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
CPC
H01L 21/2686
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
268using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
2686using incoherent radiation
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 河西 繁 KASAI, Shigeru [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 河西 繁 KASAI, Shigeru
代理人
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji
優先権情報
2005-18035321.06.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT TREATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置
要約
(EN)
A heat treating device comprising a treating room housing a substrate, a plurality of light sources provided above the treating room to respectively illuminate the substrate, a first reflector having an inner surface that forms a dome-shaped reflection surface and reflecting parts of lights output from respective light sources to lead them to the substrate, and a plurality of second reflectors respectively provided for respective light sources and reflecting/condensing lights from respective light sources to lead them to the substrate, characterized in that the reflection surface of each second reflector has part of a spheroidal surface or a curved surface approximate to it that surrounds a first focal point in order to form the first focal point at a position at which each light source is disposed and to form a second focal point on a side where the substrate is disposed.
(FR)
Le présent dispositif de traitement thermique comprend une chambre de traitement renfermant un substrat, une pluralité de sources lumineuses prévues au-dessus de cette chambre de traitement afin d’éclairer respectivement le substrat, un premier réflecteur ayant une surface interne qui forme une surface de réflexion en forme de dôme et des parties réfléchissantes de sortie de lumières provenant des sources lumineuses respectives pour les conduire au substrat et une pluralité de réflecteurs seconds prévus respectivement pour les sources lumineuses respectives ainsi que les lumières réfléchissantes /de condensation provenant des sources lumineuses respectives pour les conduire au substrat, caractérisés en ce que la surface réfléchissante de chaque réflecteur second a une partie d’ une surface sphéroïdale ou une surface incurvée rapprochée de cette forme qui entoure un premier point de convergence afin de former le premier point de convergence dans une position où chaque source lumineuse est disposée et pour former un second point de convergence sur un côté où se trouve le substrat.
(JA)
 本発明は、基板を収納する処理室と、前記処理室の上方に設けられ、前記基板をそれぞれ照射する複数の光源と、内面がドーム状の反射面を形成し、前記各光源から出た光の一部を反射して前記基板に導く第1のリフレクタと、前記各光源毎にそれぞれ設けられ、各光源から出た光を反射して集光して前記基板に導く複数の第2のリフレクタと、を備え、各第2のリフレクタの反射面は、各光源が配設されている位置に第1の焦点を形成すると共に前記基板が配設されている側に第2の焦点を形成するべく、当該第1の焦点の周囲を取り囲む回転楕円面またはこれに近似した曲面の一部を有している、ことを特徴とする熱処理装置である。
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