(EN) An apparatus for producing a semiconductor single crystal which comprises a crucible, a heater, a means of operating the crucible, a chamber in which the crucible and heater are housed, and a hydrogen mixture gas feeder with which a hydrogen mixture gas obtained by mixing a hydrogen-containing gas containing hydrogen atoms with an inert gas is supplied to the chamber, wherein the hydrogen mixture gas feeder comprises a hydrogen-containing-gas feeder, an inert-gas feeder, a hydrogen-containing-gas flow regulator, an inert-gas flow regulator, and a buffer tank in which the hydrogen-containing gas and the inert gas are mixed to produce a hydrogen mixture gas and the mixture gas is stored.
(FR) La présente invention concerne un dispositif pour produire un monocristal de semi-conducteur comprenant un creuset, un chauffage, un moyen de faire fonctionner le creuset, une chambre contenant le creuset et le chauffage, et un dispositif d'alimentation en mélange gazeux d’hydrogène avec lequel un mélange gazeux d'hydrogène obtenu en mélangeant un gaz contenant des atomes d'hydrogène avec un gaz inerte est injecté dans la chambre, le dispositif d’alimentation en mélange gazeux d’hydrogène comprenant un injecteur de gaz contenant de l'hydrogène, un injecteur de gaz inerte, un régulateur de flux du gaz contenant de l'hydrogène, un régulateur de flux du gaz inerte, et un réservoir tampon dans lequel le gaz contenant de l’hydrogène et le gaz inerte sont mélangés pour produire le mélange gazeux d'hydrogène, et dans lequel le mélange gazeux est conservé.
(JA) この半導体単結晶製造装置は、ルツボと、ヒータと、ルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバ内に、水素原子を含む水素含有ガスおよび不活性ガスを混合した水素混合ガスを供給する水素混合ガス供給装置とを有し、前記水素混合ガス供給装置は、水素含有ガス供給機と、不活性ガス供給機と、水素含有ガス流量制御器と、不活性ガス流量制御器と、水素含有ガスと不活性ガスとを混合して水素混合ガスを生成し貯留するバッファタンクとを備える。