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1. WO2006137181 - 半導体単結晶製造装置

公開番号 WO/2006/137181
公開日 28.12.2006
国際出願番号 PCT/JP2005/022390
国際出願日 06.12.2005
IPC
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
C30B 15/20 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
20制御または調整(制御または調整一般G05)
CPC
C30B 15/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 35/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 杉村 渉 SUGIMURA, Wataru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小野 敏昭 ONO, Toshiaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宝来 正隆 HOURAI, Masataka [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 杉村 渉 SUGIMURA, Wataru
  • 小野 敏昭 ONO, Toshiaki
  • 宝来 正隆 HOURAI, Masataka
代理人
  • 志賀 正武 SHIGA, Masatake
優先権情報
2005-18000220.06.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL
(FR) DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体単結晶製造装置
要約
(EN)
An apparatus for producing a semiconductor single crystal which comprises a crucible, a heater, a means of operating the crucible, a chamber in which the crucible and heater are housed, and a hydrogen mixture gas feeder with which a hydrogen mixture gas obtained by mixing a hydrogen-containing gas containing hydrogen atoms with an inert gas is supplied to the chamber, wherein the hydrogen mixture gas feeder comprises a hydrogen-containing-gas feeder, an inert-gas feeder, a hydrogen-containing-gas flow regulator, an inert-gas flow regulator, and a buffer tank in which the hydrogen-containing gas and the inert gas are mixed to produce a hydrogen mixture gas and the mixture gas is stored.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif pour produire un monocristal de semi-conducteur comprenant un creuset, un chauffage, un moyen de faire fonctionner le creuset, une chambre contenant le creuset et le chauffage, et un dispositif d'alimentation en mélange gazeux d’hydrogène avec lequel un mélange gazeux d'hydrogène obtenu en mélangeant un gaz contenant des atomes d'hydrogène avec un gaz inerte est injecté dans la chambre, le dispositif d’alimentation en mélange gazeux d’hydrogène comprenant un injecteur de gaz contenant de l'hydrogène, un injecteur de gaz inerte, un régulateur de flux du gaz contenant de l'hydrogène, un régulateur de flux du gaz inerte, et un réservoir tampon dans lequel le gaz contenant de l’hydrogène et le gaz inerte sont mélangés pour produire le mélange gazeux d'hydrogène, et dans lequel le mélange gazeux est conservé.
(JA)
 この半導体単結晶製造装置は、ルツボと、ヒータと、ルツボ駆動手段と、前記ルツボおよびヒータを収容するチャンバと、前記チャンバ内に、水素原子を含む水素含有ガスおよび不活性ガスを混合した水素混合ガスを供給する水素混合ガス供給装置とを有し、前記水素混合ガス供給装置は、水素含有ガス供給機と、不活性ガス供給機と、水素含有ガス流量制御器と、不活性ガス流量制御器と、水素含有ガスと不活性ガスとを混合して水素混合ガスを生成し貯留するバッファタンクとを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報