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1. WO2006123523 - ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

公開番号 WO/2006/123523
公開日 23.11.2006
国際出願番号 PCT/JP2006/308751
国際出願日 26.04.2006
IPC
G03F 7/039 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
039光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0392
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 廣崎 貴子 HIROSAKI, Takako [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 塩野 大寿 SHIONO, Daiju [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 平山 拓 HIRAYAMA, Taku [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 廣崎 貴子 HIROSAKI, Takako
  • 塩野 大寿 SHIONO, Daiju
  • 平山 拓 HIRAYAMA, Taku
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio
優先権情報
2005-14439117.05.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION DE RESERVE POSITIVE ET PROCEDE DE FORMATION D’UN MODELE DE RESERVE
(JA) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
要約
(EN)
A positive resist composition which comprises a base ingredient (A) whose alkali solubility increases by the action of an acid and an acid generator ingredient (B) which generates an acid upon exposure to light, wherein the base ingredient (A) contains a compound (A1) obtained from a polyhydric phenol compound (a) having two or more phenolic hydroxy groups and a molecular weight of 300-2,500 by protecting the phenolic hydroxy groups by an acid-dissociable dissolution-inhibitive group. In the compound (A1), the standard deviation (&sgr;n) of the number of protected groups per molecule is less than 1 or the standard deviation (&sgr;p) of the percentage protection (mol%) per molecule is less than 16.7.
(FR)
L’invention concerne une composition de réserve positive qui comprend un ingrédient de base (A) dont la solubilité en milieu basique augmente grâce à l'action d'un acide et un ingrédient générant un acide (B) qui génère un acide lors d’une exposition à la lumière, l'ingrédient de base (A) contenant un copolymère (A1) obtenu à partir d'un composé de type phénol polyhydrique (a) ayant deux groupes hydroxy phénoliques ou plus et une masse moléculaire allant de 300 à 2 500 en protégeant les groupes hydroxy phénoliques par un groupe empêchant la dissolution dissociable en milieu acide. Dans le composé (A1), l'écart type (&sgr;n) du nombre de groupes protégés par molécule est inférieur à 1 ou l'écart type (&sgr;p) du pourcentage de protection (% en mole) par molécule est inférieur à 16,7.
(JA)
 酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、2以上のフェノール性水酸基を有し、分子量が300~2500である多価フェノール化合物(a)における前記フェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護された化合物(A1)を含有し、かつ前記化合物(A1)が、一分子あたりの保護数(個)の標準偏差(σ)が1未満、または一分子あたりの保護率(モル%)の標準偏差(σ)が16.7未満であるポジ型レジスト組成物。
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