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1. WO2006121143 - 電圧駆動型半導体素子の駆動装置

公開番号 WO/2006/121143
公開日 16.11.2006
国際出願番号 PCT/JP2006/309530
国際出願日 02.05.2006
予備審査請求日 17.01.2007
IPC
H02M 1/08 2006.01
H電気
02電力の発電,変換,配電
M交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
1変換装置の細部
08静止型変換器に用いられる半導体装置の制御電圧の発生に用いられる回路
H03K 17/04 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
04スイッチ動作の高速化のための変形
H03K 17/08 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
17電子的スイッチングまたはゲート,すなわち,メークおよびブレーク接点によらないもの
08過電流または過電圧に対するスイッチ回路の保護のための変形
CPC
H02M 1/08
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
H03K 17/0828
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082by feedback from the output to the control circuit
0828in composite switches
H03K 17/168
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
16Modifications for eliminating interference voltages or currents
168in composite switches
出願人
  • トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 森下 英俊 MORISHITA, Hidetoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 山脇 秀夫 YAMAWAKI, Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 優 SUZUKI, Yuu [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 森下 英俊 MORISHITA, Hidetoshi
  • 山脇 秀夫 YAMAWAKI, Hideo
  • 鈴木 優 SUZUKI, Yuu
代理人
  • 矢野 寿一郎 YANO, Juichiro
優先権情報
2005-13896411.05.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRIVING APPARATUS FOR VOLTAGE-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) APPAREIL DE COMMANDE POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMMANDE PAR TENSION
(JA) 電圧駆動型半導体素子の駆動装置
要約
(EN)
A driving apparatus (10) for an IGBT (1) comprises a high-potential side switch element group including a plurality of switch elements (M1,M1') each having its one end connected to a high potential side; a low-potential side switch element group including a plurality of switch elements (M2,M2') each having its one end connected to a low potential side; a driving-type selection input terminal (10b) that receives a driving-type selection signal that is in accordance with a driving type of the IGBT (1) connected to the driving apparatus (10); a direct driving-type control part (23) and an indirect driving-type control part (24) that generate, in accordance with the driving types of the IGBT (1), control signals for performing a complementary driving control of the high-potential and low-potential side switch element groups; and a selector (25) that selects a control signal for the high-potential and low-potential side switch element groups in accordance with an inputted driving-type selection signal.
(FR)
La présente invention décrit un appareil de commande (10) destiné à un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) (1) qui comprend un groupe d'éléments de commutateurs sur un côté à potentiel élevé comprenant une pluralité d'éléments de commutateurs (M1, M1') ayant chacun son extrémité reliée à un côté à potentiel élevé, un groupe d'éléments de commutateurs à potentiel faible comprenant une pluralité d'éléments de commutateurs (M2, M2') ayant chacun son extrémité reliée à un côté à bas potentiel, un terminal d’entrée de sélection du type de commande (10b) qui reçoit un signal de sélection du type de commande conforme à un type de commande de l'IGBT (1) relié à l'appareil de commande (10), une partie de contrôle du type de commande direct (23) et une partie de contrôle du type de commande indirecte (24) qui génèrent, conformément aux types de commande de l'IGBT (1), des signaux de contrôle pour réaliser un contrôle de commande supplémentaire des groupes d'éléments de commutateurs des côtés à potentiel élevé et à potentiel bas, enfin un sélecteur (25) qui sélectionne un signal de contrôle pour les groupes d'éléments de commutateurs des côtés à potentiel élevé et à potentiel bas conformément à un signal de sélection du type de commande entré.
(JA)
IGBT1の駆動装置10は、一端が高電位側に接続される複数のスイッチ素子M1・M1'を備える高電位側スイッチ素子群と、一端が低電位側に接続される複数のスイッチ素子M2・M2'を備える低電位側スイッチ素子群と、該駆動装置10に接続されるIGBT1の駆動型に応じた駆動型選択信号が入力される駆動型選択入力端子10bと、前記高電位側スイッチ素子群および低電位側スイッチ素子群を相補的に駆動制御する制御信号を、IGBT1の各駆動型に対応して生成する直接駆動型制御部23および間接駆動型制御部24と、入力された駆動型選択信号に応じて高電位側スイッチ素子群および低電位側スイッチ素子群の制御信号を選択するセレクタ25を備える。
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