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1. WO2006121117 - プラズマクリーニング方法および成膜方法

公開番号 WO/2006/121117
公開日 16.11.2006
国際出願番号 PCT/JP2006/309484
国際出願日 11.05.2006
予備審査請求日 09.03.2007
IPC
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
C23C 16/4405
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 芦垣 繁雄 ASHIGAKI, Shigeo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 加藤 良裕 KATO, Yoshihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川上 聡 KAWAKAMI, Satoru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 諸井 政幸 MOROI, Masayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 芦垣 繁雄 ASHIGAKI, Shigeo
  • 加藤 良裕 KATO, Yoshihiro
  • 川上 聡 KAWAKAMI, Satoru
  • 諸井 政幸 MOROI, Masayuki
代理人
  • 吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji
優先権情報
2005-13850211.05.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA CLEANING METHOD AND FILM FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PELLICULE
(JA) プラズマクリーニング方法および成膜方法
要約
(EN)
A plasma cleaning method for cleaning inside of a treatment chamber of a film forming apparatus by using plasma. The treatment chamber is supplied with the plasma, which is generated from a cleaning gas by a remote plasma unit arranged outside the treatment chamber, through a gas introducing section provided with a discharge preventing member. The plasma deactivated by passing through the gas introducing section is reactivated by a plasma generating means arranged in the treatment chamber, and inside of the treatment chamber is cleaned by the reactivated plasma.
(FR)
Procédé de nettoyage au plasma pour nettoyer l’intérieur d’une chambre de traitement d’un dispositif de fabrication de pellicule au moyen de plasma. La chambre de traitement est alimentée en plasma, lequel est généré à partir d’un gaz nettoyant par une unité de plasma distante disposée à l’extérieur de la chambre de traitement, via une section d’introduction de gaz équipée d’un élément de prévention de décharge. Le plasma désactivé par son passage par la section d’introduction de gaz est réactivé par un moyen de génération de plasma disposé dans la chambre de traitement, et l’intérieur de la chambre de traitement est nettoyé par le plasma réactivé.
(JA)
 プラズマを利用して成膜装置の処理容器内のクリーニングを行なうプラズマクリーニング方法が開示される。クリーニング時に、処理容器外に設けられたリモートプラズマユニットにより生成したクリーニングガス由来のプラズマを、放電防止部材が設けられたガス導入部を介して処理容器内に供給する。ガス導入部を通過することにより失活したプラズマは、処理容器に設けられたプラズマ生成手段により再活性化され、この再活性化されたプラズマを用いて処理容器内のクリーニングが行われる。
他の公開
EP6746293
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