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1. WO2006120727 - 銅配線研磨用組成物および半導体集積回路表面の研磨方法

公開番号 WO/2006/120727
公開日 16.11.2006
国際出願番号 PCT/JP2005/008366
国際出願日 06.05.2005
予備審査請求日 29.09.2005
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
H01L 21/3212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
出願人
  • 旭硝子株式会社 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • AGC SEIMI CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 次田 克幸 TSUGITA, Katsuyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 神谷 広幸 KAMIYA, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 次田 克幸 TSUGITA, Katsuyuki
  • 神谷 広幸 KAMIYA, Hiroyuki
代理人
  • 泉名 謙治 SENMYO, Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR COPPER WIRING POLISHING AND METHOD OF POLISHING SURFACE OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE DE CÂBLAGE DE CUIVRE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE SURFACE DE CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 銅配線研磨用組成物および半導体集積回路表面の研磨方法
要約
(EN)
A technology for realizing a high-precision surface planarization in the use of copper as a wiring metal. Use is made of a polishing composition comprising water; a peroxide oxidizer; a surface protective agent for copper; at least one first chelating agent selected from the group consisting of tartaric acid, malonic acid, malic acid, citric acid, maleic acid, oxalic acid and fumaric acid; and at least one second chelating agent selected from the group consisting of triethylenetetramine, ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, tetraethylenepentamine, glycol-ether-diaminetetraacetic acid, trasn-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, o-phenanthroline and derivatives thereof.
(FR)
L’invention concerne une technologie pour réaliser une planarisation superficielle de grande précision dans l’utilisation de cuivre comme métal de câblage. Elle fait appel à une composition de polissage comprenant de l’eau ; un oxydant de peroxyde ; un agent de protection de surface pour le cuivre ; au moins un premier agent de chélation sélectionné dans le groupe consistant en acide tartrique, acide malonique, acide malique, acide citrique, acide maléique, acide oxalique et acide fumarique ; et au moins un second agent de chélation sélectionné dans le groupe consistant en triéthylène-tétramine,acide d’éthylène-diaminediacétique, acide d’éthylène diamine-tétraacétique, acide de tétraéthylène pentamine, acide de glycol-éther-diamine-tétraacétique, acide trans-1,2-cyclohexane-diamine-tétraacétique, o-phénanthroline et leurs dérivés.
(JA)
 銅を配線用金属として用いた場合に精度の高い表面平坦化を実現する技術を提供する。  水と、過酸化物系酸化剤と、銅の表面保護剤と、酒石酸、マロン酸、リンゴ酸、クエン酸、マレイン酸、シュウ酸およびフマル酸からなる群から選ばれた少なくとも一つの第一のキレート化剤と、トリエチレンテトラミン、エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、テトラエチレンペンタミン、グリコールエーテルジアミンテトラ酢酸、トランス-1,2-シクロヘキサンジアミンテトラ酢酸、o-フェナントロリンおよびこれらの誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一つの第二のキレート化剤とを含有する研磨用組成物を使用する。
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