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1. (WO2006112408) 自己組織化単分子膜の作製方法とその利用
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/112408    国際出願番号:    PCT/JP2006/307962
国際公開日: 26.10.2006 国際出願日: 14.04.2006
予備審査請求日:    06.11.2006    
IPC:
C23C 16/44 (2006.01)
出願人: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648603 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAITO, Nagahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIZAKI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAI, Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAITO, Nagahiro; (JP).
ISHIZAKI, Takahiro; (JP).
TAKAI, Osamu; (JP)
代理人: ABE, Makoto; Teshima Patent Law Firm Nagoya Office Shirakawa Dairoku Bldg. 7th Fl. 2-18-5, Nishiki, Naka-ku Nagoya-shi, Aichi 460-0003 (JP)
優先権情報:
2005-118932 15.04.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING SELF-ORGANIZING MONOMOLECULAR FILM AND UTILIZATION OF THE SAME
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE PELLICULE MONOMOLECULAIRE A AUTO-ORGANISATION ET UTILISATION DE CELLE-CI
(JA) 自己組織化単分子膜の作製方法とその利用
要約: front page image
(EN)To provide a method of forming a self-organizing monomolecular film with excellent qualities by the chemical vapor deposition of a self-organizing film forming material. In forming a self-organizing monomolecular film on a base material by the chemical vapor deposition of a self-organizing film forming material on the base material, the chemical vapor deposition is carried out in such a manner as fulfilling all of the following requirements: using a gas having a relative humidity at 25oC of 30% or lower as the atmospheric gas; the atmospheric temperature being 60oC or higher; and the surface temperature of the base material being higher than room temperature at the initiation of the vapor deposition.
(FR)L’invention concerne un procédé de formation d’une pellicule monomoléculaire à auto-organisation présentant des qualités excellentes par dépôt de vapeur chimique d’un matériau filmogène à auto-organisation. Lors de la formation d’une pellicule monomoléculaire à auto-organisation sur un matériau de base par dépôt de vapeur chimique d’un matériau filmogène à auto-organisation sur le matériau de base, ledit dépôt de vapeur chimique est réalisé de manière à satisfaire à toutes les conditions suivantes : utilisation d’un gaz ayant une humidité relative à 25 oC de 30 % ou moins en tant que gaz atmosphérique ; maintien de la température atmosphérique à 60 oC ou plus ; et maintien de la température de surface du matériau de base à une valeur supérieure à la température ambiante lors de l’initiation du dépôt de vapeur.
(JA) 自己組織膜形成材料を化学蒸着することによって高品質の自己組織化単分子膜を作製する方法を提供する。  基材に自己組織化単分子膜形成材料を化学蒸着することによって該基材上に自己組織化単分子膜を作製するにあたり、前記化学蒸着を、以下の条件:雰囲気ガスとして、25°Cにおける相対湿度が30%以下のガスを用いる;雰囲気温度が60°C以上である;および、蒸着を開始する時点における基材の表面温度が室温よりも高い;をいずれも満たすように行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)