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1. (WO2006112337) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/112337    国際出願番号:    PCT/JP2006/307777
国際公開日: 26.10.2006 国際出願日: 12.04.2006
IPC:
H01L 23/12 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KASUYA, Yasumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJII, Sadamasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KASUYA, Yasumasa; (JP).
FUJII, Sadamasa; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0054 (JP)
優先権情報:
2005-118564 15.04.2005 JP
2005-118565 15.04.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DU DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)In a semiconductor device manufacturing method, firstly, on one side of an original substrate, a one side metal layer is formed in a region over a prescribed cutting line. On the other side of the original substrate, the other side metal layer is formed at a position facing the one side metal layer. Then, at the position over the cutting line, a continuous through hole is formed to continuously penetrate the other side metal layer and the original substrate. Then, a metal plating layer is deposited on a surface of the other side metal layer, an inner surface of the continuous through hole and an internal electrode portion facing the continuous through hole. Prior to cutting the original substrate into pieces of supporting substrates, the other side metal layer on the cutting line and a metal plating layer on the other side metal layer are removed.
(FR)La présente invention décrit un procédé de fabrication d’un dispositif à semi-conducteur dans lequel, sur un côté d’un substrat de base, une couche métallique latérale est formée sur une région sur une ligne de découpe prescrite. De l’autre côté du substrat de base, l’autre couche métallique latérale est formée à une position face à la couche métallique latérale. Ensuite, à la position sur la ligne de découpe, un trou débouchant continu est formé pour pénétrer de façon continue l’autre couche de métal latérale et le substrat de base. Ensuite une couche de revêtement métallique est déposée sur une surface de l’autre couche métallique latérale, une surface interne du trou débouchant continu et une partie d’électrode interne se trouvant en face du trou débouchant continu. Avant de découper le substrat de base en morceaux de substrats de support, l’autre couche métallique latérale sur la ligne de découpe et une couche de revêtement métallique sur l’autre côté de la couche métallique sont enlevées.
(JA) この発明の半導体装置の製造方法では、まず、元基板の一方面において、所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する。また、元基板の他方面において、一方側金属層と対向する位置に、他方側金属層を形成する。次いで、切断ラインを跨る位置に、他方側金属層および元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する。その後、他方側金属層の表面、連続貫通孔の内面および内部端子の連続貫通孔に臨む部分に金属めっき層を被着させる。そして、元基板を支持基板の個片に切り分ける前に、切断ライン上の他方側金属層ならびにこの他方側金属層上の金属めっき層を除去する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)