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1. (WO2006112298) 配線基板およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/112298    国際出願番号:    PCT/JP2006/307621
国際公開日: 26.10.2006 国際出願日: 11.04.2006
IPC:
H05K 1/09 (2006.01), H05K 3/18 (2006.01)
出願人: ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-Otsuka-cho, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Kuniaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAGA, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MITSUMORI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Kuniaki; (JP).
KUBOTA, Hiroshi; (JP).
HAGA, Nobuaki; (JP).
MITSUMORI, Kenichi; (JP)
代理人: NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F 1-21-11, Higashi-Ikebukuro Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2005-118799 15.04.2005 JP
発明の名称: (EN) WIRING BOARD AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CARTE DE CIRCUIT INTÉGRÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 配線基板およびその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a wiring board that permits forming of a Cu plating layer with satisfactory adherence to both of a ceramic layer and an Ag connection layer; and provide a process for producing the same. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] Part of the surface of ceramic layer (12) and the upper surface of Ag connection layer (14) are covered with Ag thin-film layer (15). Cu wiring layer (11) is provided via the Ag thin-film layer (15) on the ceramic layer (12) and the Ag connection layer (14). This Ag thin-film layer (15) contributes to, in the forming of the Cu wiring layer (11) by electroless plating, increasing of the connection strength between the Cu wiring layer (11) and the Ag connection layer (14), and also contributes to forming of the Cu wiring layer (11) with satisfactory thickness on the ceramic layer (12).
(FR)La présente invention concerne une carte de circuit imprimé permettant la formation d’une couche de placage de Cu avec une adhérence satisfaisante à la fois à une couche céramique et à une couche de connexion d’Ag ; et son procédé de fabrication. Une partie de la surface de la couche céramique (12) et la surface supérieure de la couche de connexion d’Ag (14) sont recouvertes d'une fine pellicule d'Ag (15). La couche de circuit de Cu (11) est placée au moyen de la fine pellicule d’Ag (15) sur la couche céramique (12) et la couche de connexion d’Ag (14). Cette fine pellicule d’Ag (15) contribue, par la formation de la couche de circuit de Cu (11) par placage autocatalytique, à augmenter la force de connexion entre la couche de circuit de Cu (11) et la couche de connexion d’Ag (14), et contribue également à former la couche de circuit de Cu (11) avec une épaisseur satisfaisante sur la couche céramique (12).
(JA)【課題】 セラミック層とAg接続層の双方に十分な密着性を保ったCuメッキ層を形成することが可能な配線基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミック層12の表面の一部と、Ag接続層14の上面は、Ag薄膜層15で覆われている。Cu配線層11は、このAg薄膜層15を介してセラミック層12やAg接続層14上に形成されている。こうしたAg薄膜層15は、無電解メッキによるCu配線層11形成時において、Cu配線層11とAg接続層14との接続強度を高め、またセラミック層12上に十分な厚みのCu配線層11を形成することに寄与する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)