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1. (WO2006109760) 半導体素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/109760    国際出願番号:    PCT/JP2006/307526
国際公開日: 19.10.2006 国際出願日: 04.04.2006
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 21/28 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CABLE INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008303 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKANO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
JOICHI, Takahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAGAWA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKANO, Tsuyoshi; (JP).
JOICHI, Takahide; (JP).
OKAGAWA, Hiroaki; (JP)
代理人: TAKASHIMA, Hajime; Meiji Yasuda Seimei Osaka Midosuji Bldg. 1-1, Fushimimachi 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410044 (JP)
優先権情報:
2005-112610 08.04.2005 JP
2006-031741 08.02.2006 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor element is provided with an n-type gallium nitride compound semiconductor and a novel electrode forming an ohmic contact with such semiconductor. The semiconductor element is provided with the n-type gallium nitride compound semiconductor and the electrode brought into ohmic contact with the semiconductor. The electrode has a TiW alloy layer which is brought into contact with the semiconductor. In a suitable mode, the electrode can also serve as an electrode for a contact point. In the suitable mode, the electrode is excellent in heat resistance. Furthermore, a method for manufacturing such semiconductor element is also provided.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur comportant un composé nitrure de gallium semi-conducteur de type n, et une nouvelle électrode en contact ohmique avec un tel semi-conducteur. L'élément semi-conducteur comporte un composé nitrure de gallium semi-conducteur de type n, et l'électrode est mise en contact ohmique avec le semi-conducteur. L'électrode possède une couche d'alliage de TiW qui est mise en contact avec le semi-conducteur. Selon un mode réalisation adapté, l'électrode peut également servir d'électrode pour un point de contact. Selon un mode de réalisation adapté, l'électrode présente une excellente résistance thermique. De plus, l'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel élément de semi-conducteur.
(JA)本発明の課題は、n型窒化ガリウム系化合物半導体およびこの半導体とオーミック接触を形成する新規な電極を有する、半導体素子を提供することである。本発明の半導体素子は、n型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するTiW合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)