WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006109735) 成膜方法及び成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/109735    国際出願番号:    PCT/JP2006/307475
国際公開日: 19.10.2006 国際出願日: 07.04.2006
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAMESHIMA, Takatoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAMURA, Kohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Yasuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAMESHIMA, Takatoshi; (JP).
KAWAMURA, Kohei; (JP).
KOBAYASHI, Yasuo; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
優先権情報:
2005-112625 08.04.2005 JP
発明の名称: (EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約: front page image
(EN)A film forming method is characterized in that the method is provided with a step of introducing a treatment gas including inorganic silane gas into a treatment chamber, in which a placing table composed of ceramics including a metal oxide is arranged, and precoating an inner wall of the treatment chamber including a surface of the placing table with a nonmetal thin film including silicon; a step of placing a substrate to be treated on the placing table precoated with the nonmetal thin film; and a step of introducing a treatment gas including organic silane gas into the treatment chamber, and forming a nonmetal thin film including silicon on a surface of the substrate placed on the placing table.
(FR)L’invention concerne un procédé de formation de film caractérisé en ce qu'il comprend une phase d’introduction d’un gaz de traitement comprenant un gaz silane inorganique dans une chambre de traitement, comportant une table de placement composée de céramique englobant un oxyde de métal, et de pré-revêtement de la paroi interne de la chambre de traitement y compris d'une surface de la table de placement avec un mince film non métallique englobant du silicium ; une phase de placement d’un substrat à traiter sur la table de placement revêtue au préalable du mince film non métallique ; et une phase d’introduction d’un gaz de traitement comprenant un gaz silane organique dans la chambre de traitement, et de formation d’un mince film non métallique comprenant du silicium sur une surface du substrat placé sur la table de placement.
(JA) 本発明は、金属酸化物が含有されているセラミックスからなる載置台が内部に配置された処理容器内に、無機シランガスを含む処理ガスを導入して、前記載置台表面を含む前記処理容器内壁にシリコンを含む非金属の薄膜をプリコートする工程と、前記非金属の薄膜がプリコートされた載置台の上に被処理基板を載置する工程と、前記処理容器内に、有機シランガスを含む処理ガスを導入して、前記載置台上に載置された前記被処理基板の表面にシリコンを含む非金属の薄膜を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)