WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006109683) 光センサ、固体撮像装置、および固体撮像装置の動作方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/109683    国際出願番号:    PCT/JP2006/307349
国際公開日: 19.10.2006 国際出願日: 06.04.2006
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/3745 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
出願人: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGAWA, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKAHANE, Nana [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGAWA, Shigetoshi; (JP).
AKAHANE, Nana; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; The Third Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2005-111071 07.04.2005 JP
発明の名称: (EN) LIGHT SENSOR, SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR OPERATING SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) CAPTEUR DE LUMIERE, DISPOSITIF DE COLLECTE D’IMAGE A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE POUR FAIRE FONCTIONNER LE DISPOSITIF DE COLLECTE D’IMAGE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光センサ、固体撮像装置、および固体撮像装置の動作方法
要約: front page image
(EN)In optical devices such as a light sensor provided with a photodiode which generates optical charges by receiving light and a transfer transistor (or an overflow gate) which transfers optical charges, and a solid-state image pickup device, optical charges overflowed from the photodiode are stored in a plurality of storage capacitor elements during storing operation, through the transfer transistor or the overflow gate. Thus, the optical devices which maintain a high sensitivity and a high S/N ratio and have a wide dynamic range can be obtained.
(FR)Selon la présente invention, dans les dispositifs optiques tels qu’un capteur de lumière avec une photodiode qui génère des charges optiques en recevant de la lumière et un transistor de transfert (ou une grille de surintensité) qui transfert les charges optiques, et un dispositif de collecte d’image à semi-conducteur, des charges optiques qui ont débordé de la photodiode sont stockées dans une pluralité d’éléments condensateurs au cours de l’opération de stockage, à travers le transistor de transfert ou la grille de surintensité. Ainsi les dispositifs optiques qui maintiennent une sensibilité ainsi qu’un rapport S/N élevés et ont une portée dynamique étendue peuvent être obtenus.
(JA) 光を受光して光電荷を生成するフォトダイオード、及び、光電荷を転送する転送トランジスタ(又は、オーバーフローゲート)を備えた光センサ、固体撮像装置等の光デバイスにおいて、前記転送トランジスタまたはオーバーフローゲートを介して蓄積動作時に前記フォトダイオードからあふれる光電荷を複数の蓄積容量素子に蓄積する構成を有し、これによって、高感度、高S/N比を維持すると共に、ダイナミックレンジの広い光デバイスが得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)