WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006109506) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/109506    国際出願番号:    PCT/JP2006/305919
国際公開日: 19.10.2006 国際出願日: 24.03.2006
予備審査請求日:    29.01.2007    
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: NIPPON STEEL CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORITA, Minoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Kouji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORITA, Minoru; (JP).
NAKAMURA, Kouji; (JP)
代理人: NARUSE, Katsuo; 5th Floor, TKK Nishishinbashi Bldg. 11-5, Nishi-shinbashi 2-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2005-096679 30.03.2005 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCESSUS DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
要約: front page image
(EN)This invention provides a process for producing a spacerless stacked package-type semiconductor device, which is simple in process and is low in cost, and a semiconductor device. This semiconductor device has a structure comprising a substrate, a face-up-state first semiconductor element connected by wire bonding to the substrate through a gold wire, and a second semiconductor element stacked onto the first semiconductor element. This semiconductor device is produced by interposing an epoxy resin composition having a silica content of 50 to 80% by mass in a semi-melted state having a viscosity in the range of 1 to 60 Pa·s into between the first semiconductor element and the second semiconductor element to form a 10 to 300 μm-thick adhesive layer and thus to bond the first semiconductor element and the second semiconductor element to each other, covering a part of the gold wire connected to the first semiconductor element, and then heating the adhesive layer to cure the adhesive layer.
(FR)La présente invention décrit un processus pour produire un dispositif à semi-conducteurs de type paquet empilé sans espaceurs, dont le processus est simple et le coût est moindre ; elle décrit également un dispositif à semi-conducteurs. Le dispositif à semi-conducteurs présente une structure qui comprend un substrat, un premier élément semi-conducteur face vers le haut relié au substrat par le biais d'un câble en or, ainsi qu'un second élément semi-conducteur empilé sur le premier. Le dispositif à semi-conducteurs est produit en intercalant une composition de résine époxy présentant un contenu en silice de 50 à 80 % par masse, dans un état semi fondu, dont la viscosité est comprise entre 1 et 60 Pa·s, entre le premier élément semi-conducteur et le second pour former une couche adhésive épaisse de 10 à 300 µm, pour ainsi lier le premier élément semi-conducteur et le second l'un à l'autre. On recouvre ensuite une partie du fil en or relié au premier élément semi-conducteur puis on chauffe la couche adhésive pour la sécher.
(JA)  工程が簡略でかつ低コストのスペーサーレススタックドパッケージタイプの半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。   この半導体装置は、基板上にワイヤボンディング方式により金線で基板と接続されたフェイスアップ状態の第1の半導体素子上に第2の半導体素子を積層した構造を有する。この半導体装置は、シリカ含有量が50~80質量%であるエポキシ樹脂組成物を、粘度が1~60Pa・sの範囲にある半溶融状態で、10~300μmの厚み範囲で第1の半導体素子と第2の半導体素子の間に介在させて接着層となし、第1の半導体素子と第2の半導体素子とを結合させるとともに、第1の半導体素子に接続される金線の一部を被覆し、その後、接着層を加熱により硬化させることにより製造される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)