WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006107056) パターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/107056    国際出願番号:    PCT/JP2006/307158
国際公開日: 12.10.2006 国際出願日: 29.03.2006
IPC:
G03F 7/022 (2006.01), G03F 7/16 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: ZEON CORPORATION [JP/JP]; 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008246 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIJIMA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ABE, Nobunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Kenji; (JP).
USHIJIMA, Tomohiko; (JP).
ABE, Nobunori; (JP)
代理人: UCHIYAMA, Mitsuru; TSI Sudacho Building 8F 4-1, Kandasudacho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
優先権情報:
2005-098031 30.03.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING PATTERN
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
要約: front page image
(EN)A method of forming a pattern, including the steps of coating a substrate with a photosensitive resin composition and drying the same into a resin film; heating the substrate provided with the resin film under atmospheric pressure; irradiating the resin film with light to thereby form a latent image of pattern therein; and developing to thereby form a resin pattern on the substrate, characterized in that (1) the drying is performed under reduced pressure conditions and (2) the value A, calculated by the formula [1]: A=(1/Z)×ln(Y/X) (wherein X is transmission (%) of light through a laminate of quartz glass substrate and, formed thereon under given conditions, resin film of photosensitive resin composition; Y is transmission (%) of light after irradiating of the laminate with light of 6000 mJ/cm2; and Z is the thickness (μm) of the resin film of the laminate), of the photosensitive resin composition is ≤ 0.8.
(FR)L’invention concerne un procédé pour la formation d’un motif, comprenant les étapes qui consistent à enrober un substrat d’une composition de résine photosensible et à sécher celle-ci pour former un film de résine ; chauffer le substrat doté du film de résine sous pression atmosphérique ; irradier le film de résine de lumière pour de ce fait former dessus une image latente d’un motif ; la développer enfin pour de ce fait former un motif de résine sur le substrat. Ce procédé est caractérisé en ce que (1) le séchage est réalisé dans des conditions de pression réduite et (2) la valeur A, calculée à l’aide de la formule [1] : A = (1/Z)×ln(Y/X) (où X est la transmission (%) de la lumière à travers un stratifié de substrat en verre de silice et, formé dessus dans des conditions données, un film de résine d’une composition de résine photosensible ; Y est la transmission (%) de la lumière après irradiation du stratifié avec une lumière de 6 000 mJ/cm2 ; et Z est l’épaisseur (µm) du film de résine du stratifié), de la composition de résine photosensible est ≤ 0,8.
(JA)感光性樹脂組成物を基板に塗布し、乾燥して樹脂膜を形成する工程、樹脂膜が形成された基板を常圧で加熱する工程、光線を照射して、当該樹脂膜にパターンの潜像を形成する工程、及び現像することによって基板上に樹脂パターンを形成する工程を有するパターン形成方法であって、(1)前記乾燥が、減圧条件下で行われること、及び(2)前記感光性樹脂組成物の、式〔1〕:A=(1/Z)×1n(Y/X)(式〔1〕において、Xは、石英ガラス基板上に所定の条件下で形成された感光性樹脂組成物の樹脂膜と石英ガラス基板との積層体の光の透過率(%)、Yは、前記積層体に6000mJ/cm2の光を照射した後の光の透過率(%)、Zは、前記積層体の樹脂膜の厚み(μm))で算出される値Aが0.8以下であることを特徴とするパターン形成方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)