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1. (WO2006106910) 半導体磁器組成物の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/106910    国際出願番号:    PCT/JP2006/306816
国際公開日: 12.10.2006 国際出願日: 31.03.2006
IPC:
C04B 35/468 (2006.01), H01L 37/00 (2006.01)
出願人: Hitachi Metals, Ltd. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058614 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIMADA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TERAO, Koichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOJI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIMADA, Takeshi; (JP).
TERAO, Koichi; (JP).
TOJI, Kazuya; (JP)
代理人: HAYASHI, Tomio; Shin-ei Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
優先権情報:
2005-103721 31.03.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体磁器組成物の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a method for producing a semiconductor porcelain composition which can shift the Currie temperature to the positive direction without the use of Pb and can produce a semiconductor porcelain composition being markedly reduced in the resistivity at room temperature, and a method for producing a semiconductor porcelain composition which can impart uniform characteristics also to the interior of a material with no complicated heat treatment even if the material has a shape of a relatively great thickness. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A method for producing a semiconductor porcelain composition which has an empirical formula represented by [(Bi0.5Na0.5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3 (where R is at least one of La, Dy, Eu, Gd and Y), where x and y satisfy 0 < x ≤ 0.14 and 0.002 < y ≤ 0.02, and wherein the sintering of the composition is carried out in an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1 % or less, and thereby, the resistivity at room temperature can be remarkably reduced and uniform characteristics can be imparted also to the interior of the resultant material.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication d’une composition de porcelaine semi-conductrice susceptible de décaler la température de Currie dans la direction positive sans utiliser de Pb et de produire une composition de porcelaine semi-conductrice dont la résistivité est notablement réduite à la température ambiante, et un procédé de fabrication d’une composition de porcelaine semi-conductrice permettant de conférer des caractéristiques uniformes également à l’intérieur d’un matériau sans traitement thermique compliqué même si le matériau a une forme d’une épaisseur relativement conséquente. L’invention concerne un procédé de fabrication d’une composition de porcelaine semi-conductrice ayant une formule empirique représentée par [(Bi0,5Na0,5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3 (où R est au moins un élément parmi La, Dy, Eu, Gd et Y), où x et y satisfont à 0 < x ≤ 0,14 et 0,002 < y ≤ 0,02, et où le frittage de la composition se déroule dans une atmosphère de gaz inerte ayant une concentration d’oxygène inférieure ou égale à 1 %, ce qui permet de réduire notablement la résistivité à la température ambiante et d’obtenir des caractéristiques uniformes également à l’intérieur du matériau résultant.
(JA)【課題】 Pbを使用することなく、キュリー温度を正の方向へシフトすることができ、室温における抵抗率を大幅に低下させた半導体磁器組成物を得る製造方法、及び複雑な熱処理を行うことなく、比較的大きな厚みのある形状の材料においても、材料内部にまで均一な特性を付与することができる半導体磁器組成物の製造方法の提供。 【解決手段】 組成式を[(Bi0.5Na0.5)x(Ba1-yRy)1-x]TiO3(但し、RはLa、Dy、Eu、Gd、Yの少なくとも一種)と表し、前記x、yが、0
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)