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1. (WO2006106871) アッシング装置、アッシング方法および不純物ドーピング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/106871    国際出願番号:    PCT/JP2006/306740
国際公開日: 12.10.2006 国際出願日: 30.03.2006
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
JIN, Cheng-Guo; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ)
発明者: JIN, Cheng-Guo; .
MIZUNO, Bunji; .
SASAKI, Yuichiro;
代理人: TAKAMATSU, Takeshi; Eikoh Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2005-099148 30.03.2005 JP
発明の名称: (EN) ASHING APPARATUS, ASHING METHOD, AND IMPURITY DOPING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CENDRAGE, PROCÉDÉ DE CENDRAGE ET APPAREIL DE DOPAGE DES IMPURETÉS
(JA) アッシング装置、アッシング方法および不純物ドーピング装置
要約: front page image
(EN)An ashing apparatus and method enabling a high throughput in which the interface between a surface hardened layer of a resist and an internal non-hardened layer and the interface between the non-hardened layer and a semiconductor substrate can be detected, and an impurity doping apparatus group. The ashing apparatus performing plasma ashing of a surface hardened layer formed on a resist applied as a mask on a semiconductor substrate and doped with impurities and an internal non-hardened layer is characterized by comprising an ellipsometer for detecting the interface between the hardened layer and the non-hardened layer and the interface between the hardened layer and the semiconductor substrate by detecting an elliptically polarized light reflected off the semiconductor substrate by making a linearly polarized light impinge on the semiconductor substrate during plasma ashing.
(FR)L’invention concerne un appareil de cendrage et un procédé de cendrage permettant un rendement élevé grâce auxquels on peut détecter l’interface entre une couche durcie en surface d’un résist et une couche interne non durcie et l’interface entre la couche non durcie et un substrat semi-conducteur, et un appareil de dopage d’impuretés. L’appareil de cendrage assurant le cendrage au plasma d’une couche durcie en surface formée sur un résist appliqué comme masque sur un substrat semi-conducteur et dopé avec des impuretés et une couche interne non durcie est caractérisé en ce qu’il comprend un ellipsomètre permettant de détecter l’interface entre la couche durcie et la couche non durcie et l’interface entre la couche durcie et le substrat semi-conducteur en détectant une lumière polarisée de façon elliptique, réfléchie par le substrat semi-conducteur en faisant en sorte qu’une lumière polarisée de façon linéaire frappe le substrat semi-conducteur pendant le cendrage au plasma.
(JA) 本発明の課題は、レジストの表面硬化層と内部の非硬化層との界面及び非硬化層と半導体基板の界面を検知できるとともにスル-プットの高いアッシング装置およびアッシング方法そして不純物ドーピング装置群を提供することである。  本発明のアッシング装置は、半導体基板に塗布されてマスクとして使用されたレジストであって、不純物ドーピングされ、前記レジストに形成された表面の硬化層と内部の非硬化層をプラズマアッシングするアッシング装置において、プラズマアッシング中に前記半導体基板に直線偏光を入射させて反射される楕円偏光を検出し前記硬化層と非硬化層の界面及び前記硬化層と半導体基板の界面を検出するエリプソメータを備えることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)