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1. (WO2006106743) 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/106743    国際出願番号:    PCT/JP2006/306488
国際公開日: 12.10.2006 国際出願日: 29.03.2006
IPC:
H01L 29/80 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: National University Corporation Chiba University [JP/JP]; 1-33, Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba 2638522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUDO, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Yasuyuki; (JP).
KUDO, Kazuhiro; (JP)
代理人: ISOYAMA, Hironobu; 15-7, Nagasaki 2-chome Toshima-ku, Tokyo 1710051 (JP)
優先権情報:
2005-103112 31.03.2005 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) TRANSISTOR A FILM MINCE ORGANIQUE ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS L'UTILISANT
(JA) 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
要約: front page image
(EN)Disclosed is an organic thin-film transistor having a higher on/off ratio and high reliability wherein off characteristics are improved. Also disclosed is a semiconductor device using such an organic thin-film transistor. Specifically disclosed is an organic thin-film transistor having a multilayer structure wherein a first electrode, a charge injection blocking layer (a barrier layer) having a function as a tunnel layer, a first organic semiconductor layer, a second electrode, a second organic semiconductor layer and a third electrode are sequentially arranged in layers. Also specifically disclosed is a semiconductor device using such an organic thin-film transistor. The thickness of the barrier layer is preferably not more than 1 nm, more preferably not less than 0.1 nm and not more than 1 nm.
(FR)La présente invention décrit un transistor à film mince organique présentant un rapport allumé/éteint supérieur et une forte fiabilité ; de plus ses caractéristiques sont améliorées. L'invention décrit également un dispositif à semi-conducteurs utilisant ledit transistor à film mince organique. Elle décrit plus précisément un transistor à film mince organique disposant d'une structure multi-couches dans laquelle une première électrode, une couche de blocage d'injection de charge (une couche barrière) ayant une fonction de couche tunnel, une première couche à semi-conducteurs organique, une deuxième électrode, une seconde couche à semi-conducteurs organique et une troisième électrode sont placées à la suite sous forme de couches. L'invention décrit également un dispositif à semi-conducteurs utilisant ledit transistor à film mince organique. L'épaisseur de la couche barrière est, de préférence de 1 nm maximum et de préférence également d'un minimum de 0,1 nm et d'un maximum de 1 nm.
(JA) オフ特性を向上させ、よりオンオフ比が高く信頼性の高い有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子を提供すること目的とする。  第一の電極、トンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(バリア層)、第一の有機半導体層、第二の電極、第二の有機半導体層、第三の電極を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子とする。バリア層の厚さは、1nm以下であることが好ましく、0.1nm以上1nm以下であることがさらに好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)