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1. (WO2006104068) ゲート絶縁膜、有機トランジスタ、有機EL表示装置の製造方法、ディスプレイ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/104068    国際出願番号:    PCT/JP2006/306073
国際公開日: 05.10.2006 国際出願日: 27.03.2006
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHTA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OHTA, Satoru; (JP)
代理人: ISHIKAWA, Yasuo; Park Shiba Building 2F 17-11, Shiba 2-chome Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP)
優先権情報:
2005-091656 28.03.2005 JP
発明の名称: (EN) GATE INSULATING FILM, ORGANIC TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL DISPLAY, AND DISPLAY
(FR) FILM ISOLANT DE GÂCHETTE, TRANSISTOR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN AFFICHAGE ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET AFFICHAGE
(JA) ゲート絶縁膜、有機トランジスタ、有機EL表示装置の製造方法、ディスプレイ
要約: front page image
(EN)Disclosed are a method for producing a gate insulating film of higher quality, a method for manufacturing an organic transistor comprising such a gate insulating film, a method for manufacturing an organic EL display, and a display. Specifically disclosed is an organic TFT (50) composed of a gate electrode (52), a gate insulating film (54), an organic semiconductor layer (56), a source electrode (58) and a drain electrode (60). The gate insulating film (54) is produced by applying a coating film (32), which is a material for forming the gate insulating film (54) and contains metal oxide particles (30) and a binder resin, and pressing the surface of the coating film (32) with a mold surface (42).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film isolant de gâchette de qualité supérieure, un procédé de fabrication d'un transistor organique comprenant un tel film isolant de gâchette et un procédé de fabrication d'un affichage électroluminescent organique, et un affichage. La présente invention concerne spécifiquement un transistor à couches minces organique (50) composé d’une électrode de gâchette (52), d’un film isolant de gâchette (54), d’une couche de semi-conducteur organique (56), d’une électrode de source (58) et d’une électrode de drain (60). Le film isolant de gâchette (54) est obtenu en appliquant un film de revêtement (32), lequel est un matériau pour former le film isolant de gâchette (54) et contient des particules d’oxyde métallique (30) et une résine liante, et en pressant la surface du film de revêtement (32) avec une surface de moulage (42).
(JA)より高品質なゲート絶縁膜の製造方法、これを有する有機トランジスタの製造方法、有機EL表示装置の製造方法、ディスプレイを提供することを提供する。 ゲート電極52と、ゲート絶縁膜54、有機半導体層56、ソース電極58、ドレイン電極60とから形成されている有機TFT50は、ゲート絶縁膜54について、金属酸化物粒子30とバインダー樹脂とを含み、前記ゲート絶縁膜54の構成材料となる塗布膜32を塗布し、モールド表面42により塗布された塗布膜32の表面を押圧して製造する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)