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1. (WO2006103933) 自発光デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/103933    国際出願番号:    PCT/JP2006/305167
国際公開日: 05.10.2006 国際出願日: 15.03.2006
IPC:
H01L 33/32 (2010.01)
出願人: STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 9-13, Nakameguro 2-chome Meguro-ku, Tokyo 153-8636 (JP) (米国を除く全ての指定国).
BABA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MORITO, Kosuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: BABA, Toshihiro; (JP).
MORITO, Kosuke; (JP)
代理人: SHIONOIRI, Akio; Fujisawa-Central Bldg. 6F 1-4, Kugenuma-Tachibana 1-chome Fujisawa-shi, Kanagawa 251-0024 (JP)
優先権情報:
2005-092412 28.03.2005 JP
2005-204976 13.07.2005 JP
発明の名称: (EN) SELF-LUMINOUS DEVICE
(FR) DISPOSITIF AUTO-ÉCLAIRANT
(JA) 自発光デバイス
要約: front page image
(EN)A self-luminous device (1) which is in a mode of improving a light retrieving efficiency by the refractive-index distribution of a semiconductor layer, and which comprises a fist layer (semiconductor layer (2)), a luminous layer (3) stacked on the first layer (semiconductor layer (2), and a second layer (semiconductor layer (4)) stacked on the luminous layer (3), wherein the refractive index of the fist layer (semiconductor layer (2)) is different from that of the second layer (semiconductor layer(4)), and the refractive indexes of the layers (semiconductor layers(2, 4)) sandwiching the luminous layer (3) are made dissymmetric. In the refractive index distribution of the dissymmetric layers (semiconductor layers), the second layer (semiconductor layer (4)) is higher in refractive index than the first layer (semiconductor layer(2)).
(FR)L'invention concerne un dispositif auto-éclairant (1) permettant d'améliorer l'efficacité de récupération de lumière par la distribution d'indice de réfraction d'une couche semi-conductrice, et comprenant une première couche (couche semi-conductrice (2)), une couche lumineuse (3) empilée sur la première couche (couche semi-conductrice (2) et une seconde couche (couche semi-conductrice (4)) empilée sur la couche lumineuse (3), l'indice de réfraction de la première couche (couche semi-conductrice (2)) étant différent de celui de la seconde couche (couche semi-conductrice(4)), et les indices de réfraction des couches (couches semi-conductrices(2, 4)) prenant en sandwich la couche lumineuse (3) étant rendus dissymétriques. Dans la distribution d'indice de réfraction des couches dissymétriques (couches semi-conductrices), la seconde couche (couche semi-conductrice (4)) présente un indice de réfraction supérieur à celui de la première couche (couche semi-conductrice (2)).
(JA) 自発光デバイス1は、半導体層の屈折率分布により光の取り出し効率を向上させる態様であり、第1の層(半導体層2)と、第1の層(半導体層2)上に重なる発光層3と、発光層3に重なる第2の層(半導体層4)とを備え、第1の層(半導体層2)の屈折率と第2の層(半導体層4)の屈折率とを異ならせ、発光層3を挟む層(半導体層2,4)の屈折率を非対称な構成とする。非対称な層(半導体層)の屈折率分布において、第2の層(半導体層4)の屈折率を第1の層(半導体層2)の屈折率よりも高くする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)