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1. (WO2006103836) 薄膜材料の結晶化方法及びその装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/103836    国際出願番号:    PCT/JP2006/302459
国際公開日: 05.10.2006 国際出願日: 13.02.2006
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 1-2, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KATO, Osamu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INAMI, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIDA, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
CHUNG, Suk-hwan [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
SAWAI, Miki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOYANO, Akinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Naoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KATO, Osamu; (JP).
INAMI, Toshio; (JP).
SHIDA, Junichi; (JP).
CHUNG, Suk-hwan; (JP).
SAWAI, Miki; (JP).
KOYANO, Akinori; (JP).
KOBAYASHI, Naoyuki; (JP)
代理人: SOGA, Michiteru; S. Soga & Co. 8th Floor, Kokusai Building 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
優先権情報:
2005-095938 29.03.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND DEVICE OF CRYSTALLIZING THIN FILM MATERIAL
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR LA CRISTALLISATION D'UN MATERIAU EN COUCHE MINCE
(JA) 薄膜材料の結晶化方法及びその装置
要約: front page image
(EN)When crystal particle size cannot be uniformed, it is impossible to reduce variations in TFT characteristics over the entire panel. A method of crystallizing a thin film material comprising the step of splitting a pulse-form laser into a plurality of split lasers and delaying them and irradiating a material (12, 112) with them when the thin-film-form silicon material (12, 112) is irradiated with a pulse-form laser several times to form crystals, wherein the pulse waveform (2) of one pulse-form laser formed by a plurality of superimposed split lasers has a maximum peak (23) having the maximum intensity I, at least one maximum peak (22) having an intensity exceeding I/2, and at least one minimum point (21) positioned between adjacent maximum peaks (22, 23) and having an intensity lower than I/2.
(FR)Lorsque des tailles de particules cristallines ne peuvent pas être uniformisées, il est impossible de réduire les variations des caractéristiques des TFT sur le panneau entier. L'invention concerne un procédé de cristallisation d'un matériau en couche mince comprenant l'étape consistant à diviser un laser à impulsion en une pluralité de lasers fractionnés et à les retarder et à irradier un matériau (12, 112) avec ceux-ci lorsque le matériau en silicium en forme de couche mince (12, 112) est irradié plusieurs fois avec un laser à impulsion pour former des cristaux. La forme de l'onde d'impulsion (2) d'un laser à impulsion formé au moyen d'une pluralité de lasers fractionnés superposés a un pic maximum (23) ayant l'intensité maximum I, au moins un pic maximum (22) ayant une intensité dépassant I/2, et au moins un point minimum (21) positionné entre les pics maximum adjacents (22, 23) et ayant une intensité inférieure à I/2.
(JA)結晶粒の大きさを均一にすることができず、パネル全体のTFT特性のばらつきを小さくできない。薄膜状のシリコン製の材料12,112に、パルス状レーザを複数回照射して結晶粒を形成する際、パルス状レーザを複数の分割レーザに分割・遅延させて材料12,112に照射する薄膜材料の結晶化方法において、複数の分割レーザの重畳によつて形成される1つのパルス状レーザのパルス波形2が、最大の強度I の極大ピーク23と、I/2を超える強度の少なくとも1つの極大ピーク22と、少なくとも1つの隣接する極大ピーク22,23の間に位置し、I/2以下に強度が低下する極小点21とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)