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1. (WO2006101255) 超伝導硼化マグネシウム薄膜及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/101255    国際出願番号:    PCT/JP2006/306397
国際公開日: 28.09.2006 国際出願日: 22.03.2006
IPC:
C01B 35/04 (2006.01), C01G 1/00 (2006.01), H01L 39/24 (2006.01)
出願人: INCORPORATED NATIONAL UNIVERSITY IWATE UNIVERSITY [JP/JP]; 18-8, Ueda 3-chome, Morioka-shi, Iwate 0208550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HARADA, Yoshitomo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIZAWA, Masahito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ENDO, Haruyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HARADA, Yoshitomo; (JP).
YOSHIZAWA, Masahito; (JP).
ENDO, Haruyuki; (JP)
代理人: NISHI, Yoshiyuki; Nishi Patent Office Suite 704, 17-1, Sugita 1-chome Isogo-ku, Yokohama-shi Kanagawa 235-0033 (JP)
優先権情報:
2005-089080 25.03.2005 JP
発明の名称: (EN) SUPERCONDUCTING MAGNESIUM BORIDE THIN-FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) FILM MINCE SUPERCONDUCTEUR EN BORURE DE MAGNESIUM ET PROCEDE POUR LE FABRIQUER
(JA) 超伝導硼化マグネシウム薄膜及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A thin film of magnesium boride with ≥ 10K superconducting transition temperature which has a B-rich composition represented by the formula MgBx (x=1 to 10). The thin film excels in crystallinity and orientation, and can be used as a superconducting material. The thin film is produced by carrying out simultaneous vapor deposition of Mg and B on a substrate maintained at low temperature of ≤ 200°C while maintaining a high-vacuum atmosphere of ≤ 4×10-5 Pa as a film forming atmosphere and conducting film formation at a growth rate of ≤ 0.05 nm/sec. It is preferred that Mg and B vapors be fed into the film forming atmosphere at flow rates realizing an Mg/B molar ratio of 1/1 to 12/1.
(FR)L'invention a trait à un film mince en borure de magnésium qui a une température de transition de superconduction ≥ 10 K et dont la composition, riche en bore, est représentée par la formule MgBx (x = 1 à 10). Le film mince est excellent en termes de cristallinité et d'orientation et il peut être utilisé en tant que matériau superconducteur. Le film mince est produit par dépôt simultané en phase vapeur de Mg et B sur un substrat maintenu à basse température (≤ 200 °C) et sous un vide poussé ≤ 4×10-5 Pa constituant l'atmosphère filmogène, et par formation du film à une vitesse de croissance ≤ 0,05 nm/s. On préfère que les vapeurs de Mg et B soient introduites dans l'atmosphère filmogène à des débits permettant d'obtenir un rapport molaire Mg/B de 1/1 à 12/1.
(JA)式 MgBx(x=1~10)で表されるBリッチな組成をもち、超伝導転移温度が10K以上の硼化マグネシウム薄膜であり、結晶性,配向性に優れ、超伝導材料として使用される。成膜環境を4×10-5Pa以下の高真空雰囲気に維持し、200℃以下の低温に保持した基板にMg,Bを同時蒸着し、成長速度:0.05nm/秒以下て成膜することにより作製される。成膜環境には、Mg/Bモル比:1/1~12/1の流量でMg,B蒸気を送り込むことが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)