WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006101040) マイクロ波伝送回路一体型マイクロ波発生素子及びマイクロ波伝送回路一体型マイクロ波検出素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/101040    国際出願番号:    PCT/JP2006/305379
国際公開日: 28.09.2006 国際出願日: 17.03.2006
IPC:
H03B 15/00 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01Q 23/00 (2006.01)
出願人: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi Saitama 3320012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI, Yoshishige [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YUASA, Shinji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUSHIMA, Akio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TULAPURKAR, Ashwin [IN/US]; (US) (米国のみ)
発明者: SUZUKI, Yoshishige; (JP).
YUASA, Shinji; (JP).
FUKUSHIMA, Akio; (JP).
TULAPURKAR, Ashwin; (US)
代理人: HIRAKI, Yusuke; Kamiya-cho MT Bldg. 19F 3-20, Toranomon 4-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2005-080043 18.03.2005 JP
2006-069533 14.03.2006 JP
発明の名称: (EN) MICROWAVE TRANSMISSION LINE INTEGRATED MICROWAVE GENERATING ELEMENT AND MICROWAVE TRANSMISSION LINE INTEGRATED MICROWAVE DETECTING ELEMENT
(FR) ELEMENT INTEGRE DE GENERATION D'ONDE HYPERFREQUENCE A LIGNE DE TRANSMISSION HYPERFREQUENCE ET ELEMENT INTEGRE DE DETECTION D'ONDE HYPERFREQUENCE A LIGNE DE TRANSMISSION HYPERFREQUENCE
(JA) マイクロ波伝送回路一体型マイクロ波発生素子及びマイクロ波伝送回路一体型マイクロ波検出素子
要約: front page image
(EN)A microwave generating and microwave detecting portions of an electronic circuit are made highly efficient and downsized. A microwave generating element (A) comprising a lower electrode (1), a magnetoresistive element forming layer (3) formed in an insular form on the lower electrode (1), an insulation element (7) formed on the lower electrode (1) so as to surround the magnetoresistive element forming layer (3), and an upper electrode (5) formed on the insulation element (7) and the magnetoresistive element forming layer (3). The magnetoresistive element forming layer (3) has, sequentially from the lower electrode (1) side, a magnetizing fixed layer (3a), an intermediate layer (3b) and a magnetizing free layer (3c). The magnetizing free layer (3c), which must produce resonance vibration, is preferably, for example, up to 200 nm square in sectional area size and about 1-5 nm in film thickness. The magnetizing fixed layer (3a) requires at least about ten times the thickness of the magnetizing free layer (3c) if it is made of a single material. It is possible to use a magnetic metal multilayer film using antiferromagnetic coupling as the magnetizing fixed layer (3a).
(FR)L'invention concerne des parties de génération et de détection d'onde hyperfréquence d'un circuit électronique qui sont réalisées de manière extrêmement efficace et réduites en taille. L'élément de génération d'onde hyperfréquence (A) comprend un électrode inférieure (1), une couche formant un élément magnétorésistif (3) façonnée en une forme d'îlot sur l'électrode inférieure (1), un élément d'isolement (7) formé sur l'électrode inférieure (1) de façon à entourer la couche formant un élément magnétorésistif (3) et une électrode supérieure (5) formée sur l'élément d'isolement (7) et sur la couche formant un élément magnétorésistif (3). La couche formant un élément magnétorésistif (3) présente, séquentiellement depuis le côté d'électrode inférieure (1), une couche fixe de magnétisation (3a), une couche intermédiaire (3b) et une couche libre de magnétisation (3c). La couche libre de magnétisation (3c), qui doit produire une vibration par résonance, est de préférence, par exemple, de surface en coupe allant jusqu'à 200 nm2 et d'épaisseur de couche d'environ 1 à 5 nm. La couche fixe de magnétisation (3a) requiert au moins environ dix fois l'épaisseur de la couche libre de magnétisation (3c) si elle est constituée d'un seul matériau. Il est possible d'utiliser un film multicouche métallique magnétique en utilisant un couplage antiferromagnétique en tant que couche fixe de magnétisation (3a).
(JA)電子回路のマイクロ波発生及びマイクロ波検出部分を、高能率化、小型化する。 マイクロ波発生素子Aは、下部電極1と、下部電極1上に島状に形成された磁気抵抗素子を形成する層3と、磁気抵抗素子を形成する層3の周囲を囲むように下部電極1上に形成された絶縁体7と、絶縁体7及び磁気抵抗素子を形成する層3上に形成された上部電極5と、を有している。磁気抵抗素子を形成する層3は、下部電極1側から順に磁化固定層3aと中間層3bと、磁化自由層3cと、を有している。磁化自由層3cは、電流によって共鳴振動を起こすことが必要であり、例えば、断面積の大きさで200nm角以下、膜厚において1から5nm程度の厚さであるのが好ましい。磁化固定層3aは、単一材料であれば、磁化自由層3cの10倍程度以上の厚さを必要とする。尚、磁化固定層3aとして、反強磁性結合を利用する磁性金属多層膜を用いることも可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)