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1. (WO2006100862) 基板処理方法および記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/100862    国際出願番号:    PCT/JP2006/303069
国際公開日: 28.09.2006 国際出願日: 21.02.2006
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEYAMA, Tamaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUTAMURA, Munehisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKEYAMA, Tamaki; (JP).
FUTAMURA, Munehisa; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
優先権情報:
2005-081878 22.03.2005 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 基板処理方法および記録媒体
要約: front page image
(EN)A substrate processing method by a substrate processing device comprising a processing container for holding in its inside a substrate to be processed, a first gas supply means including a flow rate regulation means, supplying first processing gas to the processing container, a second gas supply means supplying second processing gas to the processing container. The substrate processing method repeats four steps that are a first step for regulating the first processing gas to a first flow rate by the flow rate regulation means to supply the gas in the first direction, a second step for discharging the first processing gas from the processing container, a third step for supplying second processing gas to the processing container, and a fourth step for discharging the second processing gas from the processing container. Between a first step 1 and a first step 2 that is performed next to the first step 1 is a processing gas flow stabilization step.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de traiter un substrat au moyen d'un dispositif de traitement de substrat qui comprend un récipient de traitement dans lequel est placé un substrat à traiter, des premiers moyens d'alimentation en gaz comprenant des moyens de régulation de débit, et permettant l'introduction d'un premier gaz de traitement dans le récipient de traitement, des seconds moyens d'alimentation en gaz permettant d'introduire un second gaz de traitement dans le récipient de traitement. Le procédé de traitement de substrat comprend la répétition de quatre étapes, à savoir une première étape consistant à réguler le premier gaz de traitement à un premier débit à l'aide des moyens de régulation de débit, afin d'introduire le gaz dans une première direction, une seconde étape consistant à extraire le premier gaz de traitement du récipient de traitement, une troisième étape consistant à introduire un second gaz de traitement dans le récipient de traitement, et une quatrième étape consistant à extraire le second gaz de traitement du récipient de traitement. Une étape de stabilisation du débit de gaz est effectuée entre la première étape 1 et la première étape 2 suivant la première étape 1.
(JA) 被処理基板を内部に保持する処理容器と、第1の処理ガスを前記処理容器に供給する、流量調整手段を含む第1のガス供給手段と、第2の処理ガスを前記処理容器に供給する第2のガス供給手段と、を有する基板処理装置による基板処理方法であって、前記第1の処理ガスを、前記流量調整手段により第1の流量に制御して前記第1の方向に供給する第1の工程と、前記処理容器より当該第1の処理ガスを排出する第2の工程と、前記処理容器に前記第2の処理ガスを供給する第3の工程と、前記処理容器より当該第2の処理ガスを排出する第4の工程と、を繰り返してなり、1の第1の工程と当該1の第1の工程の次に実施される2の第1の工程との間に処理ガス流量安定工程を設けたことを特徴とする基板処理方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)