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1. (WO2006098367) 磁気センサ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/098367    国際出願番号:    PCT/JP2006/305131
国際公開日: 21.09.2006 国際出願日: 15.03.2006
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
出願人: YAMAHA CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Nakazawa-cho Naka-ku, Hamamatsu-shi Shizuoka 430-8650 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAITO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SATO, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKUI, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OMURA, Masayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAITO, Hiroshi; (JP).
SATO, Hideki; (JP).
WAKUI, Yukio; (JP).
OMURA, Masayoshi; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
優先権情報:
2005-077010 17.03.2005 JP
2005-088828 25.03.2005 JP
2005-091616 28.03.2005 JP
2005-091617 28.03.2005 JP
2005-098498 30.03.2005 JP
2005-131857 28.04.2005 JP
2005-350487 05.12.2005 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) CAPTEUR MAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 磁気センサ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A plurality of gigantic magnetic reluctance elements are arranged ona single semiconductor substrate, there by providing a small-size magnetic sensor for detecting magnetic field intensity in three-axis directions. A thick film is formed on the semiconductor substrate. On its flat surface, a gigantic magnetic reluctance element constituting an X-axis sensor and Y-axis sensor is arranged. On the other hand, the gigantic magnetic reluctance element constituting the Z-axis sensor is formed by using the inclined surface of a plurality of grooves formed in the thick film. The grooves may be formed by using the reactive ion etching or the high-density plasma CVD method. Moreover, an insulation film is formed between the thick film and a passivation film so as to be used as an etching stopper. Each of the grooves has a first inclined surface and a second inclined surface. A magneto-sensitive portion may be formed on the second inclined surface having a greater inclination angle. In order to adjust the inclined surface shape and inclination degree, it is possible to form a dummy inclination surface not directly relating to the formation of the gigantic magnetic reluctance element.
(FR)L'invention décrit une pluralité d'éléments à réluctance magnétique géante qui sont disposés sur un substrat semiconducteur unique, en fournissant ainsi un capteur magnétique de petite taille destiné à détecter l'intensité d'un champ magnétique dans les directions des trois axes. Une couche épaisse est formée sur le substrat semiconducteur. Sur sa surface plate est disposé un élément à réluctance magnétique géante constituant un capteur d'axe X et un capteur d'axe Y. Par ailleurs, l'élément à réluctance magnétique géante constituant le capteur d'axe Z est formé en utilisant la surface inclinée d'une pluralité de rainures formées dans la couche épaisse. Les rainures peuvent être formées en utilisant une gravure ionique réactive ou un procédé de dépôt CVD par plasma à haute densité. De plus, une couche d'isolement est formée entre la couche épaisse et une couche de passivation de façon à être utilisée comme dispositif d'arrêt de gravure. Chacune des rainures présente une première surface inclinée et une seconde surface inclinée. Une partie magnétiquement sensible peut être formée sur la seconde surface inclinée présentant un angle supérieur d'inclinaison. Afin d'ajuster la forme de la surface inclinée et le degré d'inclinaison, il est possible de former une surface factice d'inclinaison ne se rapportant pas directement à la formation de l'élément à réluctance magnétique géante.
(JA) 1枚の半導体基板上に複数の巨大磁気抵抗素子を配置して三軸方向の磁界の強さを検知する小型の磁気センサが提供される。半導体基板には厚膜が形成され、その平坦面にX軸センサ及びY軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子が設けられ、一方、Z軸センサを構成する巨大磁気抵抗素子は厚膜に形成された複数の溝の斜面を利用して形成される。溝形成について、反応性イオンエッチングや高密度プラズマCVD法を採用してもよい。また、厚膜とパッシベーション膜との間に絶縁膜を形成し、これをエッチングストッパとして利用してもよい。各溝の斜面を第1斜面と第2斜面とで構成し、感磁部を傾斜角の大きい第2斜面に形成してもよい。各溝の斜面形状や傾斜を適正化するため、巨大磁気抵抗素子の形成には直接関与しないダミー斜面を形成するようにしてもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)