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1. (WO2006098260) 成膜装置及び成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/098260    国際出願番号:    PCT/JP2006/304872
国際公開日: 21.09.2006 国際出願日: 13.03.2006
IPC:
C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GONOHE, Narishi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARADA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GONOHE, Narishi; (JP).
HARADA, Masamichi; (JP).
KATO, Nobuyuki; (JP)
代理人: Exeo Patent & Trademark Company; 6th Fl., Daishin Bldg. 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2005-077764 17.03.2005 JP
発明の名称: (EN) APPARATUS FOR FILM FORMATION AND METHOD FOR FILM FORMATION
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
要約: front page image
(EN)In a vacuum chamber (42) comprising a catalyst chamber (46) provided with a catalyst source (48) provided so as to face a film forming chamber (44) and a substrate (S), the film forming chamber (44) is connected to the catalyst chamber (46) through an opening part (47). The catalyst source is disposed at a position satisfying a requirement of &ohgr; ≥ &thetas; wherein &ohgr; represents the angle that a straight line, which shortestly connects the peripheral part of the substrate mounted within the film forming chamber to the peripheral part of the opening part, makes with the substrate; and &thetas; represents the angle that a straight line, which shortestly connects the peripheral part of the substrate to the edge part of the catalyst source makes with the substrate. The use of this film forming apparatus can realize the formation of a desired film while preventing deactivation of radicals generated in the catalyst source and thus efficiently carrying out a reaction of a starting gas with radicals.
(FR)Dans une chambre de vide (42) comprenant une chambre catalytique (46) pourvue d’une source catalytique (48) devant faire face à une chambre de formation de film (44) et un substrat (S), la chambre de formation de film (44) est connectée à la chambre catalytique (46) à travers une partie ouverture (47). La source catalytique occupe une position satisfaisant à une exigence selon laquelle &ohgr; ≥ &thetas; où &ohgr; représente l’angle établi par une ligne droite, reliant la partie périphérique du substrat montée dans la chambre de formation de film à la partie périphérique de la partie ouverture en empruntant le chemin le plus court, avec le substrat ; et &thetas; représente l’angle établi par une ligne droite, reliant la partie périphérique du substrat à la partie du bord de la source catalytique, avec le substrat. L’utilisation de cet appareil de formation de film peut réaliser la formation d’un film désiré tout en empêchant la désactivation de radicaux générés dans la source catalytique et lançant ainsi de manière efficace une réaction d’un gaz de démarrage avec les radicaux.
(JA)成膜室44及び基板Sに対向するよう設けられた触媒源48を備えた触媒室46からなる真空チャンバー42において、成膜室44と触媒室46とが開口部47を介して接続されており、成膜室内に載置される基板の周縁部と開口部の周縁部との最短距離を結ぶ直線が基板となす角度をωとし、基板の周縁部と触媒源の縁部との最短距離を結ぶ直線が基板となす角度をθとした場合に、触媒源が、ω≧θを満たす位置に配置されている。このような成膜装置を使用することにより触媒源で発生したラジカルの失活を防いで、原料ガスとラジカルとの反応を効率よく行って所望の膜を形成することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)