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1. (WO2006098259) 選択W-CVD法及びCu多層配線の製作法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/098259    国際出願番号:    PCT/JP2006/304871
国際公開日: 21.09.2006 国際出願日: 13.03.2006
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GONOHE, Narishi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARADA, Masamichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GONOHE, Narishi; (JP).
HARADA, Masamichi; (JP).
KATO, Nobuyuki; (JP)
代理人: Exeo Patent & Trademark Company; 6th Fl., Daishin Bldg. 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2005-070290 14.03.2005 JP
発明の名称: (EN) SELECTIVE W-CVD PROCESS AND PROCESS FOR PRODUCING Cu MULTILAYER WIRING
(FR) PROCÉDÉ W-CVD SÉLECTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CÂBLE MULTICHOUCHE Cu
(JA) 選択W-CVD法及びCu多層配線の製作法
要約: front page image
(EN)Prior to feeding a raw gas onto a substrate having a Cu wiring film implanted in a hole or other structure of insulator film to thereby selectively form a W cap film on the wiring film, the surface of the insulator film and the surface of the Cu wiring film are pretreated at ≤ 300°C with the use of, in specified state, a gas of compound whose chemical formula includes an atom selected from among N atom, H atom and Si atom. After the pretreatment, a W cap film is selectively formed on the surface of the Cu wiring film. Thereafter, further, an upper layer Cu wiring is produced.
(FR)Avant d’injecter un gaz brut sur un substrat ayant un film de câblage Cu implanté dans un trou ou une autre structure de film isolant pour former de manière sélective un film de protection W sur le film de câblage, la surface du film isolant et la surface du film de câblage Cu subissent un traitement préliminaire à ≤ 300°C à l’aide, dans un état spécifié, d’un gaz de composé dont la formule chimique comporte un atome sélectionné parmi un atome N, un atome H et un atome Si. Après le traitement préliminaire, un film de protection W est formé de manière sélective à la surface du film de câblage Cu. On peut alors obtenir un câble Cu de couche supérieure.
(JA)絶縁膜のホール等の構造内にCu系配線膜を埋め込んだ基板に対して原料ガスを供給し、この配線膜上に選択的にWキャップ膜を形成する前に、N原子、H原子及びSi原子から選ばれた原子を化学式中に含んだ化合物のガスを所定の状態で用いて300°C以下で絶縁膜表面とCu系配線膜表面の前処理を行う。前処理後、Cu系配線膜表面上に選択的にWキャップ膜を形成し、その後さらに上層Cu配線を製作する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)