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1. (WO2006098219) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/098219    国際出願番号:    PCT/JP2006/304610
国際公開日: 21.09.2006 国際出願日: 09.03.2006
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
出願人: SUMITOMO BAKELITE Co., Ltd. [JP/JP]; 5-8, Higashi-Shinagawa 2-chome, Shinagawa-ku Tokyo 1400002 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGINO, Mitsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOSOMI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Yushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGINO, Mitsuo; (JP).
HOSOMI, Takeshi; (JP).
SAKAMOTO, Yushi; (JP)
代理人: HAYAMI, Shinji; Daikanyama TK Bldg. 1F 2-17-16, Ebisu-Nishi Shibuya-ku Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2005-072063 14.03.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (100) is provided with a BGA substrate (110), a semiconductor chip (101), bumps (106) and an underfill (108) applied around the bumps (106). An interlayer insulating film (104) of the semiconductor chip (101) is composed of a low dielectric constant film. The bumps (106) are composed of a lead-free solder. The underfill (108) is composed of a resin material having an elastic modulus of 150MPa or more but not more than 800MPa, and a linear expansion coefficient of the BGA substrate (110) in a substrate planar direction is less than 14ppm/°C.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) qui comprend un substrat BGA (110), une puce à semi-conducteur (101), des bosses (106) et un remplissage (108) appliqué autour des bosses (106). Un film d'isolation intercouche (104) de la puce à semi-conducteur (101) consiste en un film à faible constante diélectrique. Les bosses (106) consistent en un alliage de brasage sans plomb. Le remplissage (108) consiste en une résine ayant un module élastique compris entre 150 MPa et 800 MPa et le coefficient de dilatation thermique linéaire du substrat BGA (110) dans une direction plane du substrat est inférieur à 14 ppm/°C.
(JA) 半導体装置100は、BGA基板110、半導体チップ101、バンプ106およびバンプ106の周囲に充填されたアンダーフィル108とを備えている。半導体チップ101の層間絶縁膜104は低誘電率膜により構成されている。バンプ106は鉛フリーはんだからなる。アンダーフィル108は、弾性率が150MPa以上800MPa以下の樹脂材料により構成され、BGA基板110の基板面内方向の線膨張率は14ppm/°C未満となっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)