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1. (WO2006097994) スパッタリング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/097994    国際出願番号:    PCT/JP2005/004474
国際公開日: 21.09.2006 国際出願日: 14.03.2005
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: THIN-FILM PROCESS INC. [JP/JP]; 3-5, Kanzakicyo, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0016 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIRATA, Toyoaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKASONE, Masami [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIRATA, Toyoaki; (JP).
NAKASONE, Masami; (JP)
代理人: YAMANO, Hiroshi; Keimei Patent Office, 10F. Astro Shin Osaka 2 Bldg. 1-3, Nishinakajima 6-chome Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SPUTTERING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D’AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF D’AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) スパッタリング装置
要約: front page image
(EN)A sputtering apparatus is provided with target holders (4a, 4b) which have a target attached on them and constitute a cathode; a substrate holder (30) for holding a substrate (8); and magnets (51a, 51b) for generating a magnetic field on a front plane side of the target. Plasma is generated by applying a voltage on a backing plate (42) of the target holders (4a, 4b) from a direct current power supply (6). An anode (9) is formed of a conductive material which does not melt with heat of the plasma having a high density due to constraint. The anode (9) is connected to ground potential, and at least a part of the anode is arranged in an area where the plasma is constrained or in the vicinity of such area. While sputtering is being performed, an electron emitted from the target flows from a portion of the anode (9) heated by plasma to the ground potential and a direct current power supply circuit can be constantly closed. An abnormal electrical discharge in a container can be prevented by the simple constitution without using an expensive pulsed power supply nor a deposition preventing plate.
(FR)Dans la présente invention, deux entretoises [une première entretoise (10) et une seconde entretoise (11)] de matières et de propriétés physiques différentes sont placées entre des substrats de verre (5 et 7) pour garantir un espace uniforme en transparence. La première entretoise (10) présente une température de transition vitreuse (environ 150°C) supérieure à celle de la seconde entretoise (11) (environ 100°C). La première entretoise (10) présente un coefficient d'expansion linéaire de 100 ppm ou plus et une élasticité compressive de 100 MPa ou plus. La seconde entretoise (11) présente un coefficient d'expansion linéaire de 200 ppm ou plus et une élasticité compressive de 100 MPa ou plus. Les substrats de verre (5 et 7) sont combinés à une température inférieure à la température de transition vitreuse de la première entretoise (10) et un matériau de cristaux liquides est injecté à une température supérieure à la température de transition vitreuse de la seconde entretoise.
(JA) スパッタリング装置は、ターゲットが取り付けられてカソードを構成するターゲットホルダー4a,4bと、基板8を保持する基板ホルダー30と、ターゲットの表面側に磁界を発生させる磁石51a,51bとを備える。ターゲットホルダー4a,4bのバッキングプレート42に直流電源6からの電圧を印加してプラズマを発生させる。拘束されて高密度となったプラズマによる加熱によって溶融しない導電性材料でアノード9を形成する。アノード9は、アース電位に接続すると共に、少なくともその一部を、プラズマが拘束される領域またはその領域の近傍に配置する。スパッタリング中に、ターゲットから出た電子がプラズマで加熱されているアノード9の加熱部分からアース電位に流れ、常に直流電源回路を閉じた状態にできる。高価なパルス電源を用いたり、防着板を用いることなく、簡単な構成で、容器内での異常放電を防止できる。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)