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1. (WO2006095776) 半導体光変調器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/095776    国際出願番号:    PCT/JP2006/304482
国際公開日: 14.09.2006 国際出願日: 08.03.2006
IPC:
G02F 1/025 (2006.01)
出願人: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 3-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUZUKI, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Eiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TSUZUKI, Ken; (JP).
KIKUCHI, Nobuhiro; (JP).
YAMADA, Eiichi; (JP)
代理人: TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2005-064499 08.03.2005 JP
2005-064502 08.03.2005 JP
2005-270542 16.09.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT MODULATOR
(FR) MODULATEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光変調器
要約: front page image
(EN)There is provided a semiconductor light modulator capable of performing stable operation and having an excellent field resistance while exhibiting the characteristic of n-i-n structure semiconductor light modulator. The semiconductor light modulator includes a waveguide structure having an n-type InP clad layer (11), a semiconductor core layer (13) having the electro-optical effect, a p-InAlAs layer (15), and an n-type InP clad layer (16) which are successively overlaid. The electron affinity of the p-InAlAs layer (15) is smaller than the electron affinity of the n-type InP clad layer (16). In the waveguide structure having such a configuration, it is possible to arrange a non-dope InP clad layer (12) between the n-type InP clad layer (11) and the semiconductor core layer (13) and to arrange a non-dope InP clad layer (14) between the semiconductor core layer (13) and the p-InAlAs layer (15).
(FR)L’invention concerne un modulateur de lumière à semi-conducteur capable de fonctionner de manière stable et offrant une excellente résistance de champ tout en présentant la caractéristique d’un modulateur de lumière à semi-conducteur de structure n-i-n. Le modulateur de lumière à semi-conducteur comporte une structure de guide d’onde ayant une couche de parement InP de type n (11), une couche centrale semi-conductrice (13) ayant un effet électrooptique, une couche p-InAlAs (15), et une couche de parement InP de type n (16) empilées successivement. L’affinité électronique de la couche p-InAlAs (15) est plus faible que l’affinité électronique de la couche de parement InP de type n (16). Dans la structure de guide d’onde ayant une telle configuration, il est possible de disposer une couche de parement InP non dopée (12) entre la couche de parement InP de type n (11) et la couche centrale semi-conductrice (13) et de disposer une couche de parement InP non dopée (14) entre la couche centrale semi-conductrice (13) et la couche p-InAlAs (15).
(JA) n-i-n構造半導体光変調器の特長を生かしつつ、安定動作可能で、かつ、電界に対する耐圧特性の優れた半導体光変調器を提供する。n型InPクラッド層(11)と、電気光学効果を有する半導体コア層(13)と、p-InAlAs層(15)と、n型InPクラッド層(16)とを順次積層して形成された導波路構造を備える。p-InAlAs層(15)の電子親和力は、n型InPクラッド層(16)の電子親和力よりも小さい。このような構成の導波路構造において、n型InPクラッド層(11)と半導体コア層(13)との間にノンドープInPクラッド層(12)を、半導体コア層(13)とp-InAlAs層(15)との間にノンドープInPクラッド層(14)をそれぞれ設けても良い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)