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1. (WO2006095425) 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/095425    国際出願番号:    PCT/JP2005/004194
国際公開日: 14.09.2006 国際出願日: 10.03.2005
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATOH, Yoshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARIMOTO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAWAKI, Ippei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYASHITA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEDA, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUDA, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SATOH, Yoshio; (JP).
ARIMOTO, Yoshihiro; (JP).
SAWAKI, Ippei; (JP).
MIYASHITA, Tsutomu; (JP).
UEDA, Masanori; (JP).
MATSUDA, Takashi; (JP)
代理人: KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd Floor 9 Daikyo-cho, Shinjuku-ku Tokyo 1600015 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATIL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a nonvolatile semiconductor storage comprising a capacitor (32) having a first electrode (26) formed on a substrate (10), a single crystal ferroelectric layer (28) formed on the first electrode, and a second electrode (30) formed on the ferroelectric layer. Since an extremely stable single crystal ferroelectric material is used as the material for the ferroelectric layer (28) of the capacitor (32), the capacitor (32) hardly deteriorates even when polarization reversals are repeated. Consequently, there can be obtained a nonvolatile semiconductor storage having a very long life. In addition, an extremely high remanent polarization (Pr) can be obtained since a single crystal ferroelectric material is used as the material for the ferroelectric layer (28) of the capacitor (32). Consequently, a sufficiently large signal can be obtained even when the capacitor (32) is miniaturized, thereby enabling to obtain a nonvolatile semiconductor storage with a high degree of integration.
(FR)L’invention concerne un dispositif de stockage semi-conducteur non volatil comprenant un condensateur (32) ayant une première électrode (26) formée sur un substrat (10), une couche ferroélectrique monocristalline (28) formée sur la première électrode, et une seconde électrode (30) formée sur la couche ferroélectrique. Comme on utilise un matériau ferroélectrique monocristallin extrêmement stable comme matériau pour la couche ferroélectrique (28) du condensateur (32), le condensateur (32) se détériore à peine même si les inversions de polarisation sont répétées. En conséquence, on peut obtenir un dispositif de stockage semi-conducteur non volatil ayant une très longue durée de vie. En outre, on peut obtenir une polarisation rémanente extrêmement élevée (Pr) dans la mesure où l’on utilise un matériau ferroélectrique monocristallin comme matériau pour la couche ferroélectrique (28) du condensateur (32). En conséquence, on peut obtenir un signal suffisamment grand même si le condensateur (32) est miniaturisé, permettant ainsi de produire un dispositif de stockage semi-conducteur non volatil avec un degré élevé d’intégration.
(JA) 基板10上に形成された第1の電極26と;第1の電極上に形成された単結晶の強誘電体層28と;強誘電体層上に形成された第2の電極30とを有するキャパシタ32を有している。キャパシタ32の強誘電体層28の材料として、極めて安定な材料である単結晶の強誘電体が用いられているため、分極反転を繰り返し行っても殆ど劣化しない。このため、極めて寿命の長い不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。また、キャパシタ32の強誘電体層28の材料として単結晶の強誘電体が用いられているため、極めて高い残留分極値Prを得ることができる。このため、キャパシタ32を微細化した場合であっても、十分に大きい信号を得ることが可能である。このため、集積度の高い不揮発性半導体記憶装置を提供することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)