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1. (WO2006095416) 減衰器を備えた高周波増幅器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/095416    国際出願番号:    PCT/JP2005/004047
国際公開日: 14.09.2006 国際出願日: 09.03.2005
IPC:
H03F 3/19 (2006.01), H04B 1/18 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANOU, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KANOU, Hideki; (JP)
代理人: DOI, Kenji; Hayashi, Doi & Associates, 3rd Floor, Toshou-Bldg. No.3, 3-9-5, Shin-yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) HIGH FREQUENCY AMPLIFIER WITH ATTENUATOR
(FR) AMPLIFICATEUR HAUTE FREQUENCE MUNI D'UN ATTENUATEUR
(JA) 減衰器を備えた高周波増幅器
要約: front page image
(EN)A high frequency amplifier having an input terminal for a signal received from an antenna which amplifies the received signal. The high frequency amplifier comprises a gate-earthed transistor having a gate earthed in high frequency and a source connected with the input terminal, a load element arranged between the drain of the transistor and a power supply, and an output terminal connected with a connection node of the drain and the load element, and further has an attenuator selectively inserted between the drain and the output terminal. The attenuator is arranged to be selectively inserted into the post-stage of the gate-earthed transistor through a switch. Since an attenuator or a switch is not provided between the input terminal and the antenna, no thermal noise source exists and deterioration in noise factor can be suppressed. Furthermore, input impedance can be matched over a wide band because the attenuator is constituted of a resistor element.
(FR)Un amplificateur haute fréquence comprend un terminal d'entrée destiné à un signal reçu d'une antenne qui amplifie le signal reçu. L'amplificateur haute fréquence comprend un transistor mis à la terre par la grille à une haute fréquence et une source connectée à la borne d'entrée, un élément de charge ménagé entre le drain du transistor et une alimentation, et une borne de sortie connectée à un noeud de connexion du drain et l'élément de charge ainsi qu'un atténuateur inséré sélectivement entre le drain et la borne de sortie. L'atténuateur est conçu pour être inséré sélectivement dans un emplacement disposé après l'étage du transistor mis à la terre par la grille via un commutateur. Comme aucun atténuateur ou commutateur n'est ménagé entre la borne d'entrée et l'antenne, il n'existe aucune source de bruit thermique, et la détérioration du facteur de bruit peut être supprimée. En outre, l'impédance d'entrée peut être accordée sur une bande large grâce au fait que l'atténuateur est constitué d'un élément à résistance.
(JA) アンテナからの受信信号が入力される入力端子を有し受信信号を増幅する高周波増幅器において,ゲートが高周波的に接地され,ソースに入力端子が接続されるゲート接地トランジスタと,当該トランジスタのドレインと電源との間に設けられる負荷素子と,ドレインと負荷素子との接続ノードに接続された出力端子とを有し,さらに,ドレインと出力端子との間に選択的に挿入される減衰器を有する。ゲート接地トランジスタの後段にスイッチを介して減衰器が選択的に挿入可能な構成になっている。したがって,入力端子とアンテナとの間に減衰器や切り換えスイッチが設けられていないので熱雑音源がなく,雑音指数の劣化を抑えることができる。また,減衰器を抵抗素子により構成することで,広帯域で入力インピーダンスを整合させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)