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1. (WO2006095399) フォトリソグラフィ方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/095399    国際出願番号:    PCT/JP2005/003882
国際公開日: 14.09.2006 国際出願日: 07.03.2005
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIRATAKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIRATAKI, Hiroshi; (JP)
代理人: WATANUKI, Takao; Cre-A Center Bldg. 12-9, Nakagosho 3-chome Nagano-shi, Nagano 380-0935 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) PHOTOLITHOGRAPHY METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PHOTOLITHOGRAPHIE
(JA) フォトリソグラフィ方法
要約: front page image
(EN)A lithography method by which a photosensitive resist layer can be developed without having a resist pattern deformed by a hitting shock of the developing solution, nor generating a difference in photosensitive resist layer development rate by area nor causing deterioration and excessive consumption of the developing solution. The photosensitive resist layer (Wa) is formed on a surface of a work (W), the photosensitive resist layer (Wa) is exposed by a prescribed pattern, the developing solution is supplied on the surface of the work (W) by placing the work (W) in an atmosphere (26) including the developing solution, and the resist layer (Wa) is developed into the prescribed pattern.
(FR)L’invention concerne un procédé de lithographie permettant de développer une couche de résist photosensible sans déformation du motif de résist par un impact de la solution de développement, sans générer de différence de vitesse de développement de la couche de résist photosensible par superficie et sans provoquer de détérioration ou de consommation excessive de la solution de développement. La couche de résist photosensible (Wa) est formée sur une surface de pièce d’usinage (W), la couche de résist photosensible (Wa) est exposée par un schéma prescrit, la solution de développement est injectée à la surface de la pièce d’usinage (W) en disposant la pièce d’usinage (W) dans une atmosphère (26) englobant la solution de développement, et la couche de résist (Wa) est développée selon le schéma prescrit.
(JA) 現像液が当たった際の衝撃によりレジストパターンが崩れたり、場所によって感光レジスト層の現像レートに差が生じたり、現像液の劣化や過剰な消費が生じることなく、感光レジスト層の現像を行うことのできる、フォトリソグラフィ方法を提供する。  ワークW表面に感光レジスト層Waを形成し、感光レジスト層Waを所定パターンで露光し、ワークWを現像液を含む雰囲気26中に置くことでワークW表面に現像液を供給して、感光レジスト層Waを前記所定パターンに現像する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)