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1. (WO2006095393) 光半導体装置とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/095393    国際出願番号:    PCT/JP2005/003798
国際公開日: 14.09.2006 国際出願日: 04.03.2005
IPC:
H01L 33/38 (2010.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIROSE, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USUKI, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIROSE, Shinichi; (JP).
USUKI, Tatsuya; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; Okamoto Patent Office Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 光半導体装置とその製造方法
要約: front page image
(EN)An optical semiconductor device is characterized in that the device is provided with a GaAs substrate (semiconductor substrate) (20); an n-type contact layer (first contact layer) (21) formed on one plane (20a) of the GaAs substrate (20); an active layer (25) which is formed on the n-type contact layer (21) and includes at least a quantum dot (23); a p-type contact layer (second contact layer) (26) which is formed on the active layer (25) and has a conductivity type opposite to that of the n-type contact layer (21); an insulating layer (29) which is formed on the p-type contact layer (26) and has a first opening (29a) having a size that includes a contact region (CR) of the p-type contact layer (26); a p-side electrode layer (33c) which is formed on the contact region (CR) of the p-type contact layer (26) and the insulating layer (29) and is provided with a second opening (33a) included in the first opening (29a); an n-side electrode layer (second electrode layer ) (37) formed on the other plane (20b) of the GaAs substrate (20).
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur optique caractérisé en ce que le dispositif est pourvu d’un substrat GaAs (substrat semi-conducteur) (20) ; d’une couche de contact de type n (première couche de contact) (21) formée sur un plan (20a) du substrat GaAs (20) ; d’une couche active (25) formée sur la couche de contact de type n (21) et comprenant au moins un point quantique (23) ; d’une couche de contact de type p (seconde couche de contact) (26) formée sur la couche active (25) et ayant un type de conductivité opposé à celui de la couche de contact de type n (21) ; d’une couche isolante (29) formée sur la couche de contact de type p (26) et ayant une première ouverture (29a) de taille suffisante pour englober une région de contact (CR) de la couche de contact de type p (26) ; d’une couche d’électrode côté p (33c) formée sur la région de contact (CR) de la couche de contact de type p (26) et de la couche isolante (29) et pourvue d’une seconde ouverture (33a) incluse dans la première ouverture (29a) ; d’une couche d’électrode côté n (seconde couche d’électrode) (37) formée sur l’autre plan (20b) du substrat GaAs (20).
(JA) GaAs基板(半導体基板)20と、GaAs基板20の一方の面20a上に形成されたn型コンタクト層(第1コンタクト層)21と、n型コンタクト層21上に形成され、少なくとも量子ドット23を含む活性層25と、活性層25上に形成され、n型コンタクト層21とは反対導電型のp型コンタクト層(第2コンタクト層)26と、p型コンタクト層26上に形成され、該p型コンタクト層26のコンタクト領域CRを含む大きさの第1開口29aを備えた絶縁層29と、p型コンタクト層26のコンタクト領域CRと絶縁層29上とに形成され、第1開口29aに含まれる第2開口33aを備えたp側電極層33cと、GaAs基板20の他方の面20b上に形成されたn側電極層(第2電極層)37と、を有することを特徴とする光半導体装置。                                                                                 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)