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1. (WO2006095383) Pチャネル不純物領域を有する半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/095383    国際出願番号:    PCT/JP2005/003711
国際公開日: 14.09.2006 国際出願日: 04.03.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
EBIKO, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Kunihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: EBIKO, Yoshiki; (JP).
SUZUKI, Kunihiro; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-CHANNEL IMPURITY REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR AYANT UNE REGION D'IMPURETE DE CANAL P ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) Pチャネル不純物領域を有する半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device which does not require a high-temperature process for activating the high concentration impurity region. Also disclosed is a method for manufacturing such a semiconductor device. A semiconductor device having a P-channel impurity region is manufactured by introducing a dopant composed of a group III element other than boron (namely, Al, Ga or In) into a predetermined region and activating the predetermined region through a low-temperature process carried out at 600˚C or less. Since a group III element heavier than boron (B) is used as the impurity, improper diffusion of the impurity during the activation process can be suppressed. By performing the annealing at a low temperature, elements other than B such as Ga and In can be used as the impurity.
(FR)La présente invention décrit un dispositif à semi-conducteurs qui n'exige pas de processus à haute température pour activer la région à forte concentration d'impuretés. Elle décrit également son procédé de fabrication. Un dispositif à semi-conducteurs disposant d'une région impure de canal P est fabriqué en introduisant un dopant composé d'un élément de groupe III autre que le bore (à savoir Al, Ga ou In) dans une région prédéterminée et en activant la région prédéterminée dans un processus à basse température réalisé à 600° C maximum. Puisqu'un élément du groupe III plus lourd que le bore (B) sert d'impureté, il est possible de supprimer la diffusion incorrecte de l'impureté pendant le processus d'activation. En réalisant la recuisson à basse température, il est possible d'utiliser les éléments autres que le B, tels que Ga et In, comme impuretés.
(JA) 本発明は、高濃度不純物領域の活性化に高温プロセスを要しない半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明では、ホウ素とは異なる第3族元素(Al,Ga,In)より成るドーパントが所定の領域に導入され、所定の領域が600°C以下の低温プロセスで活性化されることで、Pチャネルの不純物領域を有する半導体装置が製造される。ホウ素(B)より重い第3族元素が不純物に使用されるので、活性化工程中に不純物が不都合に拡散することを抑制できる。低温でアニールすることで、Ga,InのようなB以外の元素を不純物に使用することが可能になる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)